Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
Подобные документы
Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015Моделі процесу формування потоку рентгенівського випромінювання з урахуванням конструктивних параметрів та електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Параметри перспективних передавальних електронно-променевих приладів та рентгеноскопічних систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 104. Магнітна залежність екситонних спектрів у квантових ямах опромінених напівмагнітних напівпровідників
Залежність спектрів екситонів від магнітного поля у квантових ямах, опромінених високоенергетичними частинками марганцю. Показано, що в опромінених зразках має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі у квантовій ямі.
статья, добавлен 03.10.2013 Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка методів ідентифікації параметрів силової схеми та навантаження напівпровідникових перетворювачів частот. Дослідження аварійних режимів роботи напівпровідникових перетворювачів частоти та розробка методів діагностування їхніх несправностей.
автореферат, добавлен 11.08.2014Основи теорії нагрівання електричних апаратів. Графоаналітичний розрахунок електродинамічних сил за зміною запасу електромагнітної енергії контурів та між прямолінійними провідниками. Сили взаємодії між провідником зі струмом і феромагнітною масою.
учебное пособие, добавлен 02.02.2018Особливості формування нерівноважних функцій розподілів електронів при взаємодії швидких легких іонів із плазмою напівпровідників і металів. Можливості створення з використанням цих розподілів перетворювачів енергії ядерних частинок в електричну.
автореферат, добавлен 27.07.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Отримання бажаних параметрів вольтамперних значень. Перехід освітлений.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження особливостей дефектоутворення в кремнії внаслідок дії опромінення швидкими електронами за наявності ізовалентних домішок олова та вуглецю, які створюють локальні деформації протилежного знаку. Описання процесів радіаційного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 27.08.2014Отримання хвильової функції і зонного спектру стиснутого двошарового графену, виразів для тензора провідності при стискові напрямку як "крісла" і "зигзагу". Використання анізотропії провідності при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень.
статья, добавлен 27.02.2016Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Аналіз кристалічної структури, електронних і коливальних спектрів конденсованих плівок С60, легованих молекулами кисню і атомами міді. Вплив радіаційних пошкоджень на розсіяння світла, фотолюмінесценцію і оптичну провідність плівок молекул фулеренів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фізичні властивості металів. Електрична провідність та значення потенціалу іонізації. Зміни в будові кристалічної решітки. Процес хімічного руйнування металів під дією навколишнього середовища. Зменшення електричної провідності з ростом температури.
реферат, добавлен 03.04.2016Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Аналіз основних електромагнітних процесів в електричних колах з напівпровідниковими комутаторами. Створення математичної моделі для аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з широтно-імпульсним регулюванням вихідної напруги.
статья, добавлен 24.03.2016Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016