Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Подобные документы
Элементная база полупроводниковых приборов, интегральных схемных и пассивных элементов. Технические характеристики аналоговых устройств. Элементы и узлы цифровых устройств. Функциональные узлы комбинационного типа. Интегральные запоминающие устройства.
курс лекций, добавлен 15.03.2022Расчет цепей управления силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором. Обеспечение оптимальных значений времени переключения с целью снижения коммутационных потерь и повышении надежности схем управления микропроцессорными устройствами.
статья, добавлен 20.02.2019Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011- 81. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016- 84. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
реферат, добавлен 22.08.2015Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Определение показателей технологичности конструкции приборов. Основные правила построения технологических схем сборки. Разработка технологического процесса сборки. Особенности проектирования технологического оснащения и специализированного оборудования.
реферат, добавлен 03.06.2015Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Устройство, схемы и принцип действия приборов магнитоэлектрического, электромагнитного, электродинамического и ферродинамического типов. Их достоинства и применение. Использование астатических приборов для защиты от влияния внешних магнитных полей.
реферат, добавлен 25.05.2014Анализ и характеристика состояния дел в разработке фотометрических и спектрофотометрических приборов. Выявление перспективных путей преодоления трудностей, возникающих при разработке таких приборов. Описание структурных схем промышленных приборов.
статья, добавлен 07.12.2018Применение вакуумных и плазменных приборов в современной электротехнике. Преимущества электровакуумных приборов. Характеристика лампы накаливания, вакуумно-люминесцентного синтезирующего модуля и электроннолучевых приборов (классификация, применение).
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011- 99. Методика сопряжения системы виртуальных инструментов и приборов с универсальным контроллером X-Mega
Исследование методики сопряжения системы виртуальных инструментов и приборов, основанной на компонентном многоуровневом представлении виртуальных генераторов и измерительных приборов, с реальным объектом с помощью универсального контроллера X-Mega.
статья, добавлен 09.12.2016 Категории электроизмерительных приборов: рабочие и образцовые. Условные обозначения на шкалах приборов, сферы их применения. Повышенная точность и чувствительность к измеряемой величине. Построение логометрического механизма электроизмерительной системы.
реферат, добавлен 20.10.2023