Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Подобные документы
Категории электроизмерительных приборов: рабочие и образцовые. Условные обозначения на шкалах приборов, сферы их применения. Повышенная точность и чувствительность к измеряемой величине. Построение логометрического механизма электроизмерительной системы.
реферат, добавлен 20.10.2023Исследование концепции дифференциальной разводки двух комплементарных сигналов с равной амплитудой и фазовым сдвигом в электронных схемах для увеличения скорости передачи данных. Анализ технологии низкоуровневой дифференциальной передачи сигналов.
статья, добавлен 25.04.2017Характеристика основных типов термодатчиков. Разработка системы диагностирования температуры среды на основании металлических и полупроводниковых датчиковых измерителей аппаратуры. Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции.
курсовая работа, добавлен 23.12.2012Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Роль метрологических измерений в настоящее время. Разработка должностных инструкций, приборов лаборатории и методик их поверки. Разработка средств поверки, ее проведение для установки У300. Разработка мер безопасности при работе с установкой У300.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Измерение - процесс определения физической величины с помощью технических средств. Классификация измерительных приборов. Метод сравнения, или нулевой метод, служащий основой действия приборов сравнения: мостов, компенсаторов. Класс точности приборов.
презентация, добавлен 15.12.2020Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Обзор новых моделей научных приборов японской корпорации SHIMADZU. Жидкостные и газовые хроматографы, энергодисперсионные рентгенфлуоресцентные спектрометры. Расширение аналитических возможностей, связанных с техническими характеристиками приборов.
статья, добавлен 27.02.2016Изучение измерений на оптоволоконном тракте. Анализ параметров, измеряемых при строительстве оптоволоконного тракта, сдаче в эксплуатацию, эксплуатации и по окончании ремонтно-восстановительных работ. Характеристика оптических измерительных приборов.
научная работа, добавлен 23.04.2012Исследование основных узлов структурные схемы оптико-электронных приборов. Системы первичной и вторичной обработки информации, цепи обратной связи. Построение структурных схем приборов оптико-электронной системы визуализации и обработки изображений.
лекция, добавлен 17.11.2018Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Выбор схемы усилителя переменного тока. Экспериментальное исследование усилителя переменного тока с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS. Моделирование в системе Multisim. Проектирование мощного выходного каскада.
курсовая работа, добавлен 17.01.2015Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Понятие обратной связи между цепями усилителя, ее виды. Структурные схемы усилителей с обратной связью. Определение коэффициента усиления усилителя. Анализ изменений амплитудно-частотных характеристик усилителя при введении отрицательной обратной связи.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Оценка надежности разработанного протокола обмена данными между приборами учета и GSM-концентраторами по радиоканалу. Оценка вероятности срыва передачи значений с приборов учета в GSM-концентратор при условии выполнения требований протокола связи.
статья, добавлен 30.07.2017Значение физической величины и ее измерение. Группы мер и измерительных приборов. Погрешности прямых многократных измерений. Основные положения метрологического обеспечения. Классификация электрорадиоизмерительных приборов. Измерение тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 06.02.2014Описание электрической схемы усилителя мощности звуковых частот с крайне глубокой отрицательной обратной связью. Зависимость перегрузочных характеристик, уровней нелинейных искажений от фазы сигнала. Определение скорости нарастания выходного напряжения.
реферат, добавлен 14.12.2016Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Разработка аналитической методики оперативного расчета электронных и электродинамических параметров СДР (секторной конструкции двухзазорных резонаторов). Поиск оптимальной формы и размера щели связи между смежными активными СДР, их шириной полосы.
автореферат, добавлен 14.04.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018