Предпосылки и этапы создания электронных приборов
Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
Подобные документы
Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Исследование электронных тахеометров, входящих в парк геодезических приборов Экспериментально-технологической лаборатории дистанционного зондирования и мониторинга земельных ресурсов. Анализ длин и превышений отрезков эталонного линейного базиса.
статья, добавлен 17.03.2021Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Обзор интегральных микросхем в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Микромодульный способ конструирования радиоаппаратуры.
статья, добавлен 02.06.2016Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Методы исследования и оптимизации процессов взаимодействия электронных потоков с электромагнитными полями в современных приборах: гиротронах, релятивистских лампах бегущей и обратной волны сверхвысокой мощности, микровакуумных генераторах, пениотроне.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Понятие микроэлектроники, термина "интегральная схема" (ИС). Компоненты, входящие в состав ИС. Особенности изделий микроэлектроники. Классификация микросхем по функциональному назначению. Три проблемы микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных ИС.
презентация, добавлен 27.11.2015Анализ и характеристика состояния дел в разработке фотометрических и спектрофотометрических приборов. Выявление перспективных путей преодоления трудностей, возникающих при разработке таких приборов. Описание структурных схем промышленных приборов.
статья, добавлен 07.12.2018- 61. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
доклад, добавлен 22.12.2019Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.
лекция, добавлен 21.02.2015Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Методы анализа линейных усилительных каскадов в частотной области. Исследование биполярных и полевых транзисторов. Особенность изучения усилителей с обратной связью. Сущность аналоговых перемножителей сигналов. Устройства вторичных источников питания.
учебное пособие, добавлен 17.11.2015Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Рассмотрение методики исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Изучение повреждений печатных плат радиоэлектронной аппаратуры. Анализ нарушений работоспособности интегральных микросхем.
статья, добавлен 30.10.2018Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Схемотехника как раздел электроники. Разработка схемотехнических решений (электрических и структурных схем), используемых в электронной аппаратуре. Аналоговые и дискретные электрические схемы. Методы исследования прохождения сигналов в электронных цепях.
презентация, добавлен 12.11.2017