Предпосылки и этапы создания электронных приборов
Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
Подобные документы
Анализ тенденций, ключевых факторов развития производства электронных компонентов для радиоэлектронной отрасли России. Сформулированы важнейшие направления государственной политики, направленные на совершенствование производства электронных компонентов.
статья, добавлен 23.07.2020Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013Анализ основных предпосылок для развития отрасли, выпускающей контрольно-измерительные приборы. Перечень основных фирм-изготовителей измерительных приборов и всевозможных устройств контроля начала XX в. Улучшение качества записи и воспроизведения звука.
реферат, добавлен 22.02.2012Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Расчёт числа каскадов, выбор типов интегральных схем и транзисторов. Определение параметров выходного и входного каскадов. Установление промежуточных каскадов на ИС К265УВ7. Характеристика АЧХ усилителя. Оценка качества спроектированного устройства.
реферат, добавлен 10.07.2016Эволюция аналогового способа создания фотодокументов. Этапы развития цифровой фотографии. Понятие, классификация и способы создания фотодокументов. Материальные носители фотодокументов. Классификация и виды технических средств для создания фотографий.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Электронная база электронных цифровых часов. Сравнительный анализ систем аналогичного назначения, выбор и обоснование структурной схемы. Схема электронных часов с будильником и календарём. Внутренняя структура и принцип работы микросхем серии К176.
курсовая работа, добавлен 08.08.2013Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Создание spice-модели компонентов для моделирования схемы в среде Altium Designer. Определение параметров полупроводниковых приборов, индуктивных элементов и цифровых компонентов. Методика расчетов в процессе проектирования цифровых электронных схем.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011- 91. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.
учебное пособие, добавлен 21.11.2012Категории электроизмерительных приборов: рабочие и образцовые. Условные обозначения на шкалах приборов, сферы их применения. Повышенная точность и чувствительность к измеряемой величине. Построение логометрического механизма электроизмерительной системы.
реферат, добавлен 20.10.2023Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.
автореферат, добавлен 02.08.2018Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Измерение - процесс определения физической величины с помощью технических средств. Классификация измерительных приборов. Метод сравнения, или нулевой метод, служащий основой действия приборов сравнения: мостов, компенсаторов. Класс точности приборов.
презентация, добавлен 15.12.2020Проблема стойкости электронных систем космических аппаратов к влиянию помех, возбуждаемых электростатическими разрядами (ЭСР). Помехоустойчивость микросхем к воздействию импульсных помех. Конструкторский уровень защиты КА. Уровни областей защиты.
статья, добавлен 30.07.2017