Концентрация атомов донорной примеси. Схема включения и работы транзистора
Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
Подобные документы
Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Построение диаграмм скорости и нагрузки производственного механизма. Определение продолжительности включения двигателя, среднеквадратичного значения мощности. Определение и построение естественных механических и электромеханических характеристик.
курсовая работа, добавлен 17.12.2018Изучение структуры атомов вещества. Открытие явления радиоактивности. Схема опыта Резерфорда по рассеянию элементарных частиц. Квантовые постулаты Бора. Определение энергия электрона. Построение линейчатых спектров. Характеристика лазерного излучения.
презентация, добавлен 20.11.2019Описание работы синтезатора частот. Расчет насыщенного симметричного триггера, который удовлетворяет современным требованиям, предъявляемым к возбудителям передатчиков. Определение частоты транзистора. Принцип работы и область применения синтезаторов.
практическая работа, добавлен 12.05.2016Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Взаимодействие атомов с поверхностью неметаллов. Области активационного и релаксационного катализа. Разработка модели механизма гетерогенной рекомбинации атомов при участии метастабильных электронных состояний, генерируемых ионизирующим излучением.
статья, добавлен 30.01.2016Исследование метода просвечивания эталонным источником, направленного на определение оптической толщины и концентрации атомов плазменного канала. Обоснование факторов некорректности измерений в канале цилиндрической формы, находящегося в жидкости.
статья, добавлен 07.10.2013Расчет транзисторной схемы для управления RС-цепью. Схема включения с эмиттером. Расчёт усилителя низкой частоты на транзисторе, последовательный и параллельный четырехразрядные счетчики на JK-триггерах. Расчет мультивибратора на операционном усилителе.
контрольная работа, добавлен 05.12.2022Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Определение понятия молекул и атомов как электрических систем, сделанные из положительных и отрицательных зарядов. Сравнительное постоянство плотности конденсированных фаз (несжимаемости). Характер потенциальной энергии. Кривые фазового равновесия.
курс лекций, добавлен 10.10.2014Порядок выбора схемы выпрямителя, определение вентилей. Принципы расчета вторичного тока, напряжения и мощности выпрямительного трансформатора. Амплитудное значение обратного напряжения. Параметры усилительного каскада. Основные режимы транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.12.2013Классификация многоэлектронных атомов. Центральное поле и конфигурация атомов. Малые отклонения от симметрии. Схема чередования мультиплетов. Правило Хунда как правило квантовой химии, определяющее порядок заполнения орбиталей определённого подслоя.
учебное пособие, добавлен 21.10.2014Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2013Численное моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и дефектов, созданных облучением, за областью пробега. Процессы рекомбинации внедряемых атомов с термодинамически равновесными вакансиями. Сущность эффекта "дальнодействия".
статья, добавлен 28.09.2013Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Методика измерения концентрации раствора (LiBr) по показателю преломления, расчет зависимости чувствительности методики от различных параметров конструкции создаваемого прибора. Исследование процессов тепло и массопереноса при абсорбции газов жидкостью.
курсовая работа, добавлен 29.12.2012Преобразование схемы замещения к простейшему виду относительно места повреждения. Определение ударного тока короткого замыкания (КЗ) в системах электроснабжения. Определение значений симметричных составляющих токов и напряжений при несимметричном КЗ.
курсовая работа, добавлен 31.10.2018Исследование кристаллов фторидов и оксидов с высокой концентрацией примеси эрбия при интенсивном наносекундном электронном возбуждении. Выявление механизмов передачи высоких плотностей энергии дефектам легирующей примеси и ионам собственного вещества.
автореферат, добавлен 26.07.2018Методика расчета тепловой схемы и определения технико-экономических показателей блока на основании данных. Расчет установки по подогреву сетевой воды. Построение процесса расширения пара на i-s диаграмме. Определение параметров по элементам схемы.
курсовая работа, добавлен 12.01.2011Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Расчет трехфазного КЗ в сложной электрической системе, определение параметров схемы замещения и ее преобразование. Расчет режима несимметричного КЗ в сложной электрической сети, фазных токов, протекающих в Л1, а также остаточных напряжений в узле.
курсовая работа, добавлен 15.05.2012Рассмотрение процесса образования твердого тела из изолированных атомов. Энергетические уровни изолированных атомов. Определение степени заполнения электронами энергетических уровней в зоне. Различия металлов и диэлектриков с точки зрения зонной теории.
реферат, добавлен 28.07.2015Определение комплексного входного сопротивления в электрической цепи. Нахождение действующих значений токов во всех ветвях схемы. Расчет значений падений напряжений на всех элементах цепи. Построение топографической векторной диаграммы токов и напряжений.
курсовая работа, добавлен 05.10.2016Изучение особенностей распространения тяжелой пассивной примеси в условиях нерегулярной нестационарной мезомасштабной конвекции с использованием в качестве базовой гидродинамической модели конвективного ансамбля. Исследование диффузии в океане, атмосфере.
статья, добавлен 28.05.2018