Концентрация атомов донорной примеси. Схема включения и работы транзистора

Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.

Подобные документы

  • Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.

    статья, добавлен 31.07.2018

  • Построение диаграмм скорости и нагрузки производственного механизма. Определение продолжительности включения двигателя, среднеквадратичного значения мощности. Определение и построение естественных механических и электромеханических характеристик.

    курсовая работа, добавлен 17.12.2018

  • Изучение структуры атомов вещества. Открытие явления радиоактивности. Схема опыта Резерфорда по рассеянию элементарных частиц. Квантовые постулаты Бора. Определение энергия электрона. Построение линейчатых спектров. Характеристика лазерного излучения.

    презентация, добавлен 20.11.2019

  • Описание работы синтезатора частот. Расчет насыщенного симметричного триггера, который удовлетворяет современным требованиям, предъявляемым к возбудителям передатчиков. Определение частоты транзистора. Принцип работы и область применения синтезаторов.

    практическая работа, добавлен 12.05.2016

  • Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.01.2014

  • Взаимодействие атомов с поверхностью неметаллов. Области активационного и релаксационного катализа. Разработка модели механизма гетерогенной рекомбинации атомов при участии метастабильных электронных состояний, генерируемых ионизирующим излучением.

    статья, добавлен 30.01.2016

  • Исследование метода просвечивания эталонным источником, направленного на определение оптической толщины и концентрации атомов плазменного канала. Обоснование факторов некорректности измерений в канале цилиндрической формы, находящегося в жидкости.

    статья, добавлен 07.10.2013

  • Расчет транзисторной схемы для управления RС-цепью. Схема включения с эмиттером. Расчёт усилителя низкой частоты на транзисторе, последовательный и параллельный четырехразрядные счетчики на JK-триггерах. Расчет мультивибратора на операционном усилителе.

    контрольная работа, добавлен 05.12.2022

  • Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.

    курсовая работа, добавлен 29.08.2015

  • Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.

    контрольная работа, добавлен 19.09.2017

  • Определение понятия молекул и атомов как электрических систем, сделанные из положительных и отрицательных зарядов. Сравнительное постоянство плотности конденсированных фаз (несжимаемости). Характер потенциальной энергии. Кривые фазового равновесия.

    курс лекций, добавлен 10.10.2014

  • Классификация многоэлектронных атомов. Центральное поле и конфигурация атомов. Малые отклонения от симметрии. Схема чередования мультиплетов. Правило Хунда как правило квантовой химии, определяющее порядок заполнения орбиталей определённого подслоя.

    учебное пособие, добавлен 21.10.2014

  • Порядок выбора схемы выпрямителя, определение вентилей. Принципы расчета вторичного тока, напряжения и мощности выпрямительного трансформатора. Амплитудное значение обратного напряжения. Параметры усилительного каскада. Основные режимы транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.12.2013

  • Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.

    курсовая работа, добавлен 07.06.2013

  • Численное моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и дефектов, созданных облучением, за областью пробега. Процессы рекомбинации внедряемых атомов с термодинамически равновесными вакансиями. Сущность эффекта "дальнодействия".

    статья, добавлен 28.09.2013

  • Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.

    курсовая работа, добавлен 31.03.2011

  • Методика измерения концентрации раствора (LiBr) по показателю преломления, расчет зависимости чувствительности методики от различных параметров конструкции создаваемого прибора. Исследование процессов тепло и массопереноса при абсорбции газов жидкостью.

    курсовая работа, добавлен 29.12.2012

  • Преобразование схемы замещения к простейшему виду относительно места повреждения. Определение ударного тока короткого замыкания (КЗ) в системах электроснабжения. Определение значений симметричных составляющих токов и напряжений при несимметричном КЗ.

    курсовая работа, добавлен 31.10.2018

  • Исследование кристаллов фторидов и оксидов с высокой концентрацией примеси эрбия при интенсивном наносекундном электронном возбуждении. Выявление механизмов передачи высоких плотностей энергии дефектам легирующей примеси и ионам собственного вещества.

    автореферат, добавлен 26.07.2018

  • Методика расчета тепловой схемы и определения технико-экономических показателей блока на основании данных. Расчет установки по подогреву сетевой воды. Построение процесса расширения пара на i-s диаграмме. Определение параметров по элементам схемы.

    курсовая работа, добавлен 12.01.2011

  • Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.

    статья, добавлен 26.10.2016

  • Расчет трехфазного КЗ в сложной электрической системе, определение параметров схемы замещения и ее преобразование. Расчет режима несимметричного КЗ в сложной электрической сети, фазных токов, протекающих в Л1, а также остаточных напряжений в узле.

    курсовая работа, добавлен 15.05.2012

  • Рассмотрение процесса образования твердого тела из изолированных атомов. Энергетические уровни изолированных атомов. Определение степени заполнения электронами энергетических уровней в зоне. Различия металлов и диэлектриков с точки зрения зонной теории.

    реферат, добавлен 28.07.2015

  • Определение комплексного входного сопротивления в электрической цепи. Нахождение действующих значений токов во всех ветвях схемы. Расчет значений падений напряжений на всех элементах цепи. Построение топографической векторной диаграммы токов и напряжений.

    курсовая работа, добавлен 05.10.2016

  • Изучение особенностей распространения тяжелой пассивной примеси в условиях нерегулярной нестационарной мезомасштабной конвекции с использованием в качестве базовой гидродинамической модели конвективного ансамбля. Исследование диффузии в океане, атмосфере.

    статья, добавлен 28.05.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.