Концентрация атомов донорной примеси. Схема включения и работы транзистора
Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
Подобные документы
Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Схемы включения транзистора и их обобщение. Первичные параметры транзистора и методы расчета технических показателей каскада для включения общей базы, эмиттера, коллектора. Практическое определение основных технических показателей транзисторного каскада.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
дипломная работа, добавлен 24.12.2011Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Выбор схемы и расчет уставок элементов схемы автоматического повторного включения. Схема подключения реле повторного включения. Требования к системам автоматического включения резерва. Схема автоматического включения резерва секционного выключателя.
контрольная работа, добавлен 01.04.2016Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Определение типа и концентрации примеси, носителей заряда в базе. Условие электрической нейтральности для областей эмиттера, базы и для всей системы в состоянии равновесия. Пояснение принципа полевого управления током в полупроводниковой структуре.
контрольная работа, добавлен 07.06.2016Модификация двумерной модели, описывающая нестационарные процессы переноса примеси от источника, изменения средней температуры с учетом фронта пожара. Процесс распространения пожара, изменения концентрации примеси и средней температуры воздуха.
статья, добавлен 26.04.2019Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Анализ результатов исследования влияния примеси теллура на оптико-электрические свойства эпитаксиальных слоев GaxIn(1-x)PySb(1-y). Измерение длины волн пиков фотолюминесценции. Воздействие примеси теллура на упорядочение атомов кристаллической решетки.
статья, добавлен 15.05.2017Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.
реферат, добавлен 29.10.2017Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Характеристика распределения протонов и нейтронов в структурах ядер атомов. Определение нуклонных структур ядер атомов как актуальная задача современной физики. Объяснение механизмов самостоятельного бета-распада и кластерного распада нестабильных атомов.
статья, добавлен 06.03.2018Изучение управления электрическим моментом в активных полупроводниках ЭЛК-частиц и диполях. Анализ свойств атомов электронной ловушки донорной природы. Обзор механизма преобразований полупроводников. Характеристика сдвига термостимулированных токов.
реферат, добавлен 31.07.2013