Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования
Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
Подобные документы
Анализ излучательних характеристик плазмы в Ar, Kr, Xe. Расчет импульсных разрядов в смеси Kr-Xe в широком диапазоне относительных концентраций. Условия достижения порога генерации на димерах инертных газов в импульсных разрядах с УФ-предыонизацией.
автореферат, добавлен 15.02.2018Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Анализ отклонения коэффициента излучения в указанном температурном диапазоне. Определение излучения поверхности модели абсолютно черного тела. Вычисление погрешности оценки эквивалентной шуму разности температур тепловизора. Учет параметров покрытия.
статья, добавлен 25.03.2016Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.
курс лекций, добавлен 26.03.2014- 31. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 - 32. Исследование дисперсионных характеристик поверхностной волны в однопроводниковой меандровой линии
Численное изучение дисперсионных характеристик проволочной и ленточной меандровых линий. Зависимость частотных характеристик фазового замедления и затухания поверхностной волны от геометрических параметров линии. Затухание в широком диапазоне частот.
статья, добавлен 04.11.2018 Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018Разработка математической модели искрового разряда в жидком азоте на основании данных о термодинамических функциях и коэффициентах переноса вещества в широком диапазоне параметров. Анализ интегральных и пространственно-временных характеристик разряда.
статья, добавлен 14.09.2016Методика полевых работ в методе компонентного зондирования. Использование магнитных и электрических компонентов электромагнитного поля. Особенности малоглубинных методов электропрофилирования. Электромагнитное зондирование в широком диапазоне глубин.
статья, добавлен 02.02.2019Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013Понятие удельного заряда частицы. Определение силы Лоренца с помощью правил левой руки. Особенности движения частицы по спирали. Теория метода определения заряда электрона. Описание экспериментальной установки для определения удельного заряда электрона.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2015Исследование электродинамических характеристик углеродных нанотрубок. Определение зависимостей собственного и взаимного сопротивления от расстояния и сдвига, различной ориентации углеродных нанотрубок друг относительно друга в широком диапазоне частот.
статья, добавлен 19.06.2018Определение физических параметров корональной плазмы и ее динамических характеристик в различных солнечных структурах. Анализ основных космических инструментов для реализации метода изображающей спектроскопии в мягком рентгеновском диапазоне спектра.
автореферат, добавлен 15.02.2018Циклотронный резонанс - резонансное поглощение электромагнитной энергии электронными проводниками, помещёнными в постоянном магнитном поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. Носители заряда в постоянном магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015Рассмотрение схемы измерителя добротности и резонансная кривая для ее определения. Изучение устройства куметра (измерительного генератора), который применяют для измерения параметров электромагнитных материалов, диэлектриков в широком диапазоне частот.
реферат, добавлен 03.06.2014Физические основы внутреннего фотоэффекта. Образование экситонов и возникновение свободных носителей заряда. Характеристика оптоэлектронной интегральной микросхемы. Схема сканирования и считывание информации. Применение фотодиода в оптоэлектронике.
контрольная работа, добавлен 12.12.2016Сравнение рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках и квантовых ямах, излучающих в зеленом диапазоне спектра. Оптические исследования с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции в различных уровнях лазерного возбуждения.
статья, добавлен 26.06.2016Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
статья, добавлен 30.04.2018Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Анализ определения энергии электрически заряженных неэлементарных частиц и основной дозы облучения, необходимых для создания p-n-перехода. Расчет среднего полного пробега ионов бора в кремнии. Особенность зависимости от мощности в главном диапазоне.
задача, добавлен 01.09.2014Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Решение задачи с применением первого закона Ньютона. Вычисление потенциала поля заряда шара Q в точке остановки электрона. Вычисление параметров конденсатора (емкости, заряда). Применение закона Джоуля-Ленца для определения выделяющегося тепла спирали.
контрольная работа, добавлен 11.04.2009Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018