Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования
Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
Подобные документы
Сущность и значение экспериментально установленного закона сохранения электрического заряда. Вычисление силы взаимодействия любых заряженных тел. Напряженность поля точечного заряда и электрического поля. Принцип суперпозиции полей и потенциалы.
реферат, добавлен 04.03.2013Расчет и проектирование водоструйного элеватора для обеспечения заданной тепловой нагрузки. Основные параметры воды в характерных сечениях проточной части аппарата. Рабочие характеристики элеватора в широком диапазоне значений коэффициента смешения.
курсовая работа, добавлен 08.08.2013История возникновения электричества, сущность электрического заряда и характеристика его видов. Понятие атома, его строение. Описание закона сохранения электрического заряда, специфика закона Кулона. Электрическое поле, взаимодействие заряженных тел.
реферат, добавлен 10.12.2014Численное диффузионно-дрейфовое моделирование процессов переноса и накопления носителей заряда в гетероструктуре TiO2 / перовскит / полупроводник p-типа. Анализ фотоэлектрических характеристик солнечных элементов. Обоснование оптимальной толщины пленки.
статья, добавлен 30.07.2017Электронная структура и энергетические уровни переходных металлов в селениде цинка, оптическая активность примеси золота. Методика термической обработки селенида цинка, их легирования, исследования люминесцентных свойств. Вяление переноса носителей тока.
диссертация, добавлен 25.11.2013- 81. Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 21.07.2013 Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Определение типа и концентрации примеси, носителей заряда в базе. Условие электрической нейтральности для областей эмиттера, базы и для всей системы в состоянии равновесия. Пояснение принципа полевого управления током в полупроводниковой структуре.
контрольная работа, добавлен 07.06.2016Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
статья, добавлен 30.05.2017- 85. Влияние плазменных волн пространственного заряда электронного потока на излучение Смита-Парселла
Особенности изменения диаграмм направленности (ДН) и других характеристик дифракционного излучения (ДИ) от статических и динамических параметров электронного потока (ЭП) (тонкая структура ДИ). Влияние плазменных волн ЭП на ДН излучения Смита-Парселла.
реферат, добавлен 23.10.2010 Изучение температурных зависимостей удельной электропроводности, общей теплопроводности, холловской подвижности носителей зарядов, магнитного сопротивления соединения CuGa2InTe5. Описание механизмов рассеяния электронов и фононов в его кристаллах.
статья, добавлен 06.03.2018Кинетические явления, возникающие в твердых телах при совместном действии на них электрического и магнитного полей. Геометрия эксперимента по наблюдению эффекта Холла. Накопление носителей заряда на соответствующих гранях. Учет механизма рассеивания.
контрольная работа, добавлен 20.02.2015Анализ широкодиапазонных уравнений состояния для описания поведения поликристаллических материалов в широком диапазоне параметров сжатия. Уравнения состояния деформированного алюминия, имеющие малое число экспериментально определяемых параметров.
статья, добавлен 29.10.2018Диэлектрик как вещество, практически не проводящее электрический ток. Концентрация свободных носителей заряда в диэлектрике. Способность диэлектрика поляризоваться во внешнем электрическом поле. Тепловое старение внутренней изоляции, снижение прочности.
реферат, добавлен 03.10.2013Характеристика измерительных приборов и разнообразных методов измерения температур. Основные температурные шкалы. Манометрические термометры. Барометрическая погрешность манометрического термометра. Закон внутренних температур и промежуточных проводников.
презентация, добавлен 06.08.2013Модели изоскоростных гидроакустических волноводов мелкого моря с поглощающим дном: модель Пекериса и волновод с дном в виде промежуточного слоя и полупространства. Численное решение дисперсионного уравнения. Волновые числа в широком диапазоне частот.
статья, добавлен 28.09.2016Расчёт силы взаимодействия между двумя точечными зарядами по закону Кулона. Рассмотрение порядка взаимодействия между зарядами через электрическое поле. Анализ понятия "напряженность поля" точечного заряда, её вычисление и графическое изображение.
лекция, добавлен 14.03.2014Изучение методов оптимизации системы входного регулирующего аппарата для центробежного компрессора в широком диапазоне работ. Проектирование данной системы посредством блочно-иерархического подхода через создание формальных макромоделей объекта.
статья, добавлен 25.02.2016Характеристика спектральной и пространственной оптической фильтрации. Анализ существования различных определений приемника излучения. Возникновение излучений в процессе рекомбинации носителей заряда, которые образуются при прохождении тока через диод.
статья, добавлен 02.02.2019Определение отношения заряда электрона к его массе с помощью закона "трех вторых", описывающего характер протекания тока в вакуумном диоде, и метода магнетрона, основанного на закономерностях движения электрона в электрическом и магнитном полях.
лабораторная работа, добавлен 28.04.2012Измерение размеров микроструктур в субмикронном диапазоне. Измерение профиля полупроводниковых структур. Образование методической погрешности при контроле профиля элемента методом атомно-силовой микроскопии. Калибровки с применением мер малой длины.
реферат, добавлен 29.03.2020Наличие термостабилизации магнитных параметров в рабочем диапазоне температур как одно из важнейших требований, предъявляемых к устройствам спинтроники. Характеристика уравнения Ландау-Лифшица, которое определяет движение вектора намагниченности.
статья, добавлен 12.05.2018- 98. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Анализ результатов исследований образования поверхностных дефектов в широком диапазоне мощностей доз и длительностей воздействия ионизирующего излучения. Модель образования поверхностных дефектов при длительном воздействии ионизирующего излучения.
автореферат, добавлен 02.08.2018 Структура системы управления газоохладителем теплового насоса на диоксиде углерода в сверхкритическом цикле. Комплекс "тепловой насос - центральный тепловой пункт" с учетом критериев максимального СОР и минимума избытков расхода теплоты на отопление.
статья, добавлен 02.02.2019Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018