Теоретическое исследование свойств полупроводниковых структур, состоящих из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
Подобные документы
Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Волна как изменение состояния среды, распространяющееся в этой среде и переносящее с собой энергию, анализ особенностей. Рассмотрение процесса распространения электромагнитного поля. Знакомство с основными достоинствами и недостатками круглых волноводов.
курсовая работа, добавлен 04.06.2014Развитие идеи создания электронновычислительной машины. Пять поколений комьютеров в современной классификации. IBM компьютеры. Мощнейшие машины четвертого поколения Эльбрус. Элементная база компьютеров пятого поколения. Микрокомпьютеры пятого поколения.
реферат, добавлен 12.11.2008Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
лекция, добавлен 17.08.2014Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Моделирование характеристик волн при различных параметрах (величина и толщина пленки) в пакете Scilab. Распространение магнитостатических волн. Сравнение зависимостей при различных параметрах. Расчет дисперсионных характеристик магнитостатических волн.
статья, добавлен 26.06.2018Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Радиолокация как область радиотехники, использующая явления отражения и излучения электромагнитных волн различными объектами для обнаружения этих объектов, определения их положения и выявления свойств. Лазерные системы связи, преимущества и недостатки.
курс лекций, добавлен 06.08.2015Технология OLED как более дешёвая и качественная альтернатива существующих дисплеев. Модели телевизоров нового поколения с OLED-дисплеями. Их фундаментальные отличия от телевизоров технологии LCD/LED. Недостатки и преимущества этих двух технологий.
презентация, добавлен 19.06.2022Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Использование ниобиевого болометра в интегральной антенной структуре. Настройка квазиоптических систем приемников миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Технология изготовления и свойства болометров на основе тонкопленочного ниобия.
статья, добавлен 30.10.2018Математическая модель и дисперсионные уравнения для световых электромагнитных волн в фотонном кристалле. Понятие периодической среды как одномерного фотонного кристалла, ее оптические свойства. Расчет его запрещенной зоны с помощью уравнений Максвелла.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Структура рынка электронных систем и оборудования в России. Сравнительные характеристики отечественного процессора E2k и Merced ("Intel"). Сущность суперинжекции. Применение метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Идеология одноэлектронного элемента.
презентация, добавлен 24.05.2014Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Рассмотрение кристаллических структур углерода. Анализ свойств в форме нанотрубок. Изучение зависимости от геометрии. Использование в качестве эмиттеров. Применение в атомно-силовых микроскопах. Разработка нанотранзисторов на базе ветвящихся структур.
статья, добавлен 21.09.2015Определение назначения и техническое описание NGN как сети связи нового поколения, особенности передачи данных и маршрутизации пакетов сети. Трансформация абонентских устройств и возможности NGN. Проблемы внедрения и изучение архитектуры построения сети.
курсовая работа, добавлен 14.04.2013Оценка развития и определение требований к аппаратуре и изделиям микроэлектроники нового поколения двойного применения. Разработка математических моделей управления предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией. Обзор программной реализации обеспечения.
автореферат, добавлен 30.01.2018Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Компьютерное моделирование радиоэлектронных устройств с помощью программы ElectronicsWorkbench. Устройство и работа генератора гармонических колебаний. Вид его принципиальной электрической схемы. Принцип работы генератора прямоугольных импульсов.
лабораторная работа, добавлен 29.03.2023