Теоретическое исследование свойств полупроводниковых структур, состоящих из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
Подобные документы
Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014- 104. Электронная техника
Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015 Описание фасеточных оптико-электронных систем, которые используют принцип построения глаз насекомых, состоящих из множества отдельных оптических фасеток, охватывающих широкое угловое поле, реализованные с использованием микролинзовых оптических систем.
статья, добавлен 07.12.2018Рассмотрение задачи о томографии пространственно распределенного некогерентного источника излучения. Обращение интегрального уравнения, сформулированного для углового распределения интенсивности, измеряемого на поверхности определенного радиуса.
статья, добавлен 04.11.2018Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Анализ проблем и вопросов разработки бортовых радиолокационных станций нового поколения. Особенности функционирования бортовых радиолокационных станций в составе интегрированного авиационного комплекса в рамках бесконтактных сетецентрических войн.
автореферат, добавлен 30.10.2018Различия влияния поверхности Земли на распространение радиоволн для волн разной длины и для разных расстояний между передатчиком и приемником. Общие законы распространения радиоволн. Особенности подземной и подводной радиосвязи, их преимущества.
контрольная работа, добавлен 14.11.2016Создание когерентных источников миллиметровых и субмиллиметровых волн. Измерение содержания нефтепродуктов в воде с помощью миллиметровых волн. Применение анизотропно проводящей пленки. Чувствительность метода при малых значениях концентрации нефти.
статья, добавлен 07.11.2018Исследование влияния случайного прореживания на характеристики случайных потоков прямоугольных импульсов. Характеристики потоков на выходе параметрического селектора, обнаружителя и одноканальной системы обслуживания. Расчет децимированных потоков.
статья, добавлен 30.10.2018Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020- 116. Основы электроники
Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015 Компьютеры первого поколения - компьютеры на электронных лампах. Во втором - транзисторы. В третьем - интегральные схемы. Компютеры четвертого и пятого поколения. Поколение суперкомпьютеров. Современные компьютеры, домашний и деловой ПК. Новые виды ПК.
реферат, добавлен 22.11.2008Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Эволюция современных сетей сотовой связи. Обзор и основные характеристики технологии LTE. Разработка структурной схемы сети. Расчет пропускной способности сети. Расчет количества потенциальных абонентов. Выбор и расчет оборудования транспортной сети.
дипломная работа, добавлен 23.05.2018Представление сигналов в ЭВМ. Исследование спектров сигналов. Моделирование распространения прямоугольных импульсов по кабельной линии связи, приема прямоугольных импульсов, переданных по кабельной линии связи. Восстановление сигнала из его спектра.
отчет по практике, добавлен 09.02.2019Исследование характеристик направленности и частотных свойств антенных систем базовых станций сотовой связи третьего поколения, изыскание возможности их построения на основе широкополосных антенн. Методика расчета характеристик направленности излучателя.
автореферат, добавлен 05.05.2018Описание некоторых преобразований сигналов: преобразования Фурье, кратковременного преобразования Фурье и непрерывного вейвлет-преобразования. Использование преобразования Фурье для определения типа стационарного процесса электронного оборудования.
статья, добавлен 25.08.2020Определение кинематических характеристик продольных и поперечных ультразвуковых волн. Граничные задачи динамической теории упругости. Исследование электромагнитного способа возбуждения объемных ультразвуковых волн в металлическом полупространстве.
статья, добавлен 26.06.2016- 124. Распространение радиоволн в мобильных связях. Влияние данного распространения на организм человека
Определение радиоволн как электромагнитных волн с длинами волн, располагающимися в электромагнитном спектре вплоть до инфракрасного диапазона. Основное пагубное воздействие радиоволн на живой организм человека: возможные генетические мутации у человека.
статья, добавлен 15.03.2019 Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015