Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
Подобные документы
Измерение динамических электрических параметров микросхем. Примеры существующих измерительных установок для проверки цифровых интегральных схем. Особенности практической реализации блока коммутации измерительной установки измерительной системы.
дипломная работа, добавлен 06.06.2018Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Электронные усилители: общие характеристики и классификация. Статистические и динамические режимы усилительных каскадов. Схемы включения на биполярных и полевых транзисторах. Анализ влияния дестабилизирующих факторов на работу усилительных каскадов.
лекция, добавлен 13.10.2013Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.
статья, добавлен 22.03.2018Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Теоретические сведения об основных элементах радиоэлектронной аппаратуры. Расчет и схема фильтра Чебышева. Ключевые характеристики конденсаторов, рабочие параметры резисторов, разновидности катушек индуктивности, технические особенности их применения.
курсовая работа, добавлен 14.01.2016Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Изучение принципов построения регистров на интегральных микросхемах, экспериментальное исследование регистров в статическом и динамическом режимах. Особенности схем регистров на RS- и JK-триггерах. Функциональная схема реверсивного регистра сдвига.
лабораторная работа, добавлен 13.04.2014Реализация задач логического синтеза узлов и блоков цифровых ЭВМ на интегральных микросхемах. Структурная детализация блока памяти автомата. Синтез логического преобразователя, выбор элементной базы. Минимизация логических уравнений с помощью карт Карно.
курсовая работа, добавлен 18.05.2017Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Технология получения керамики. Требования к подложкам микросхем. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем. Схема процесса изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных схем. Сущность скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Исследование и основная разработка технологии серийного изготовления высоконадежных тонкопленочных интегральных схем. Особенность обеспечения малых потерь энергии, высокой коррозионной стойкости и адгезии многослойных проводников микрополосковых линий.
статья, добавлен 04.12.2018Элементы конструкции интегральных схем (ИС), технологические маршруты изготовления ИС и пути их совершенствования. Влияние конструктивно-технологических факторов на надежность и коэффициент выхода годных тонкопленочных ИС с резистивными структурами.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.
реферат, добавлен 06.03.2023Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018Конструктивно-технологические разновидности резисторов. Зависимость максимально допустимого тока от сечения провода. Система обозначений и маркировка конденсаторов. Исследование устройства конденсатора переменной емкости. Расчет коэффициента адсорбции.
методичка, добавлен 16.02.2020- 118. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Специфика работы транспортируемых ЭВМ. Проектирование печатных плат на интегральных микросхемах: выбор типа корпуса, габаритных размеров и конфигурации и материала основания. Топологическое проектирование печатных плат. Конструирование сборочного узла.
курсовая работа, добавлен 01.10.2013Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Расчет предельных значений погрешностей определения интегральных характеристик при одинаковом гармоническом составе по абсолютной величине близки друг к другу. Проведение исследования частотной ошибки фазосдвигающего блока обеспечивающего сдвиг сигнала.
статья, добавлен 31.08.2018История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Новый метод определения интегральных характеристик, основанный на сравнении мгновенных значений гармонических сигналов и обеспечивающий сокращение времени измерения. Приводится схема системы, реализующей метод и результаты анализа погрешности квантования.
статья, добавлен 28.01.2020