Дослідження залежності опору напівпровідників від температури
Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
Подобные документы
Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Дослідження електрофізичних процесів, що відбуваються у зразках малих розмірів. Аналіз температурної залежності опору плівкових матеріалів. Обладнання для отримання гранульованого плівкового сплаву. Огляд структурно-фазового стану гранульованої системи.
дипломная работа, добавлен 19.07.2017Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Визначення обертової та коливної температури в тліючому розряді у повітрі атмосферного тиску для катоду на основі розчинів сульфату алюмінію. Аналіз залежності температури електронів, обертової та коливної температури від величини струму розряду.
статья, добавлен 27.12.2016Нітрид титану як бінарне хімічне з'єднання титану з азотом. Дослідження температурної залежності висоти потенціального бар’єру і послідовного опору ізотопного гетеропереходу та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу.
статья, добавлен 29.07.2016Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Встановлення температури початку кристалізації аморфних сплавів. Визначення структурних параметрів нанокомпозитних структур, що формуються на стадії первинної кристалізації, в залежності від температури ізотермічних відпалів і швидкості нагрівання.
автореферат, добавлен 25.07.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Визначення температурної залежності коефіцієнту дифузії вакансії і з’ясування характеру вакансійного руху в ОЦК фазі кристалів 3Не. Явища квантової дифузії, характерний для широкозонних квазічасток. Залежність ширини зони від щільності твердого гелію.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, характеристика їх відклику на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. Встановлення аспектів формування зонного спектру кристалу CdSb.
автореферат, добавлен 29.09.2015Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Дослідження симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів. Відклик кристальних структур на зовнішні збурення (деформації та дефекти). Симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка конструкції твердотільних давачів температури. Створення мідного термоперетворювача опору з використанням тонкоплівкових технологій. Оцінка стабільності параметрів кристалічної ґратки. Вивчення ступеня захисту мідного термочутливого елемента.
автореферат, добавлен 04.03.2014Процес вивчення на прикладі дію закону Ома, характеристика залежності режимів роботи кола від величини опору. Формула розрахунку потужності резистора. Визначення залежності зміни струму від величини напруги. Порядок побудови схеми, підготовка обладнання.
лабораторная работа, добавлен 07.12.2013Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Визначення номінальних параметрів трансформатора. Розрахунок параметрів для побудови залежності вторинної напруги від характеру навантаження. Фазні напруги обмоток трансформатора. Визначення повного, активного та реактивного опору короткого замикання.
курсовая работа, добавлен 01.12.2013Розгляд класифікації інтегральних мікросхем та системи позначень. Визначення типу електропровідності кристалів і пластин. Вимірювання поверхневого і питомого опору шарів напівпровідника, статичних параметрів ІМС. Дослідження параметрів логічних мікросхем.
методичка, добавлен 17.11.2022Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Дослідження залежності похибки вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла від відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання та від інтенсивності фонового випромінювання. Вплив фонового випромінювання.
статья, добавлен 14.09.2016