Дослідження залежності опору напівпровідників від температури
Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
Подобные документы
Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Особливості вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Вивчення залежності опору металів від температури. Вимірювання опору досліджуваної котушки при кімнатній температурі. Вплив швидкості нагріву на точність побудованої залежності.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Методи вимірювання опору металу під час нагрівання зразка в заданому діапазоні температури, визначення температурного коефіцієнту опору. Схема електричного кола для з'єднання електропечі, термометра, цифрового вольтметра, амперметра, блоку живлення.
лабораторная работа, добавлен 27.05.2016Теоретичне дослідження та аналіз температурної залежності питомого опору і температурного коефіцієнта опору двошарових плівок Ni/Cr, Ti/Cu та Al/Ni як у процесі термостабілізації електрофізичних властивостей, так і після завершення твердофазних реакцій.
статья, добавлен 26.10.2010Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Залежність струмів термостимульованної деполяризації. Побудова графіка залежності струму від години. Метод наближеної оцінки енергії активації. Розрахунок ширини забороненої зони методом Гарліка-Гібсона, Гроссвейнера (парціальної напівширини піку).
практическая работа, добавлен 14.04.2013Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Теоретичне визначення частотних похибок платинових термометрів. Розробка прецизійних термометричних мостів змінного струму для експериментального визначення частотної залежності активного опору ПТО. Засоби вимірювання параметрів комплексного опору.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження температури плавлення, переохолодження при кристалізації рідкої фази і дифузійної активності в нанодисперсних шаруватих плівкових системах. Аналіз закономірностей розмірної залежності температури плавлення нанооб’єктів та плівкових систем.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Розкриття суті явищ електромагнітної індукції і самоіндукції. Знаходження індуктивності котушки та опору соленоїда. Поняття активного та реактивного опору контуру. Дослідження залежності індуктивності від магнітних властивостей осердя і сили струму.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження температурної, часової залежності малокутового розсіяння світла за умови взаємодії солітонів з дефектами. Вивчення динаміки модульованої структури в електричному полі для кристалів. Опис температурної залежності електрооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010