Изучение примесных полупроводников и диодных тиристоров
Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
Подобные документы
Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Методика определения мощности потребления резистора и транзисторного ключа. Разработка формирователя прямоугольных импульсов для входного сигнала. Анализ технических характеристик операционного усилителя. Порядок расчета величины опорного напряжения.
курсовая работа, добавлен 15.01.2015Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Изучение функциональных возможностей и способов построения усилителей низкой частоты для преобразования слабых сигналов. Расчет мощности и коэффициента усиления входного сигнала. Обоснование выбора транзистора и определение сопротивления резистора.
контрольная работа, добавлен 10.11.2013Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Схема петлевой якорной обмотки. Проверка максимальной индукции в минимальном сечении зубца для трапецеидального паза. Расчет удельной магнитной проводимости для потоков рассеяния секции обмотки. Определение расчетной электромагнитной мощности машины.
курсовая работа, добавлен 07.03.2015Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Разработка и расчет системы фазоимпульсного управления тиристором (СИФУ). Расчет блока синхронизации, выбор операционного усилителя. Расчет генератора пилообразного напряжения и формирователя управляющего сигнала. Выбор охладителя для данного тиристора.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Использование утроителя напряжения в качестве источника вторичного электропитания для различных радиоэлектронных устройств. Понятие и сущность полупроводникового диода. Особенности электролитического конденсатора, сборка и проверка работы устройства.
аттестационная работа, добавлен 17.02.2016Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Определение максимального технологического допуска тонкоплёночного резистора. Значение сопротивления первой неподгоночной секции для лазерной подгонки, расчёт ее геометрических размеров и формы. Оценка погрешности переходных сопротивлений контактов.
реферат, добавлен 14.03.2017Разработка модели режима холостого хода электромеханического расщепителя фаз на базе трехфазного асинхронного двигателя типа НВА-55 с короткозамкнутой клеткой ротора. Обоснование эффективности выбранной модели для описания процесса расщепления фаз.
статья, добавлен 30.07.2017Понятие тиристора, его основные свойства и принцип работы. Параметры тиристоров и его основные типы: тиристор-диод, динистор, симистор, фоторизистор, инвесторный и запираемый тиристор. Их роль, характеристики и особенности применения в радиоэлектронике.
реферат, добавлен 19.02.2016Расчет элементов силовой части преобразователя. Описание принципа работы блоков управления и расчет их элементов. Схема инвертирования и сдвига задающего напряжения. Генератор пилообразного напряжения. Перечень элементов силовой части преобразователя.
курсовая работа, добавлен 02.05.2016Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Исследование работы одновибратора, использование автоколебательныого мультивибратора в качестве задающего генератора. Измерение амплитуды импульса и длительности исследуемого сигнала. Изучение влияния величины резистора на длительность выходного сигнала.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Словесное описание работы программы, блок схемы алгоритмов программ и подпрограмм. Влияние примесей на свойства полупроводников, блок схема алгоритма программы. Введенные и рассчитанные значения, графики зависимости. Результаты работы программы в Mathcad.
курсовая работа, добавлен 31.05.2018Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016Диагностика механизма привода лазерного проигрывателя, характеристика схем обработки цифровых сигналов. Последствия нарушений работы ограничительного диода и системы автофокусировки. Выявление неисправностей схем отслеживания, устранение проблем.
реферат, добавлен 25.01.2015Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Кристаллическая структура полупроводника, влияние примеси и температуры на его проводимость. Особенности реальных p-n-переходов. Тиратрон, устройство и принцип работы. Приборы тлеющего разряда. Переход, смещенный в обратном направлении и виды пробоев.
контрольная работа, добавлен 29.09.2017Стабилизатор как электрическое устройство, используемое для подачи постоянного напряжения на нагрузку на своих выходных клеммах независимо от каких-либо изменений или колебаний на входе. Расчет внутреннего сопротивления регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 29.11.2019