Изучение примесных полупроводников и диодных тиристоров
Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
Подобные документы
Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Использование источников постоянного напряжения. Однофазный двухполупериодный выпрямитель. Параметрические стабилизаторы постоянного напряжения. Дифференциальное сопротивление диода в рабочей точке. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
лекция, добавлен 04.10.2013Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Проверка достаточности напряжения питания схемы. Выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Выбор транзистора по параметрам режима эксплуатации. Графоаналитический расчет каскада по постоянному току. Определение величин емкостей конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 29.05.2014Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
статья, добавлен 19.02.2019- 108. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Расчет структурной схемы приемника: определение числа поддиапазонов, поверочный расчет чувствительности, выбор промежуточной частоты. Расчет входной цепи. Выбор и обоснование смесителя, гетеродина. Принцип действия и характеристики диодного детектора.
курсовая работа, добавлен 10.07.2012Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Знакомство с этапами расчета статических характеристик асинхронного двигателя с фазным ротором, анализ способов постройки пусковой диаграммы. Рассмотрение основных особенностей сопротивления тормозного резистора в режиме торможения противовключением.
курсовая работа, добавлен 11.04.2021Расчет принципиальной электрической схемы преобразователя усиленного сигнала напряжения в ток на аналоговых интегральных микросхемах, с источником питания от сети переменного тока. Построение графика зависимости токового сигнала от сопротивления нагрузки.
курсовая работа, добавлен 17.05.2012Разработка топологического чертежа микросхемы усилителя промежуточной частоты. Расчет мощности, длины резистивной пленки, площади, коэффициента нагрузки резистора; максимальной удельной емкости, длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора.
курсовая работа, добавлен 28.02.2010Форма сигнала последовательности прямоугольных импульсов с частотой 125 кГц. Основные волновые сопротивления "витой пары" в зависимости от геометрии кабеля и материалов, используемых в изоляции. Методика расчета сопротивления согласующего резистора.
статья, добавлен 06.05.2015Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Специфика применения высокочастотных источников питания на базе резонансных инверторов напряжения в установка индукционного нагрева для нагрева металла перед пластической деформацией. Моделирование работы инвертора при изменении входного напряжения.
статья, добавлен 29.07.2016Описание устройства аналогового цифрового ампервольтомметра Ц4341 и прибора DT-9205A. Изучение порядка проведения измерений электрического сопротивления, величины тока и напряжения в цепях постоянного и переменного тока переносным ампервольтомметром.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Описание функциональной схемы импульсного понижающего стабилизатора и изучение принципов его работы. Расчет элементов принципиальной схемы стабилизатора напряжения и характеристика фаз её работы. Расчёт энергоёмкости устройства и его предельных нагрузок.
лабораторная работа, добавлен 08.10.2013Расчет распределения энергетического потенциала по длине регенерационного участка. Определение порога чувствительности оптоэлектронного модуля, построенного на основе p-i-n. Расчет напряжения сигнала и помехи на выходе трансимпедансного усилителя ОЭМ.
контрольная работа, добавлен 06.08.2013Выбор типа транзисторов и определение величины сопротивления нагрузки. Расчет структурной схемы предварительного усилителя, принципиальной схемы ПУ, эмиттерного повторителя и усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Коррекция частотных искажений.
курсовая работа, добавлен 14.08.2015Особенности работы трансформатора – устройства, предназначенного для изменения величины переменного напряжения, что является обязательным структурным элементом источника вторичного электропитания. Технические характеристики измерительных трансформаторов.
контрольная работа, добавлен 13.12.2009Выбор структурной и электрической принципиальных схем устройства. Выбор по заданным начальным параметрам напряжения питания, транзистора VT1, диода VD1, расчет номиналов остальных деталей. Алгоритм расчета блокинг-генератора по схеме с общим эмиттером.
дипломная работа, добавлен 24.11.2011