Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
Подобные документы
Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
статья, добавлен 08.02.2017Характеристика основных физических явлений в электролюминесцентных излучателях. Определение излучения диода, включенного в прямом и обратном направлениях. Анализ спектра отражения люминофора галофосфата кальция, активированного сурьмой и марганцем.
дипломная работа, добавлен 16.11.2015- 29. Типы диодов
Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.
реферат, добавлен 27.06.2015 Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.
краткое изложение, добавлен 14.11.2010Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Классификация веществ по проводимости: проводники, полупроводники, диэлектрики. Движение электронов при увеличении температуры и воздействии на них электрического поля. Характеристика полупроводникового диода, его основные свойства и применение.
презентация, добавлен 19.02.2016Порядок исследования вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. Экспериментальные данные по определению барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия.
статья, добавлен 25.03.2016Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.
реферат, добавлен 11.08.2014Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.
реферат, добавлен 11.11.2009Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2015Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
статья, добавлен 07.11.2018Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.
лекция, добавлен 06.02.2010Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
дипломная работа, добавлен 14.09.2017Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015- 45. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 Основные параметры и характеристики оптического волокна. Апертура волоконного световода. Определение критической длины волн и частоты. Значение нормированной частоты, многомодовые системы. Затухание и дисперсия. Принципы спектрального уплотнения.
курсовая работа, добавлен 17.09.2013Задание физических характеристик нелинейных элементов при расчете электрических цепей. Графическая диаграмма вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Использование нелинейных свойств элементов электрических цепей в радиоэлектронике.
лекция, добавлен 23.07.2013Основные методы измерения частоты: общая характеристика и этапы данного процесса, метод перезаряда конденсатора, резонансный, сравнения и дискретного счета. Понятие о стандартах частоты и времени, методика прецизионного измерения данных величин.
курсовая работа, добавлен 22.05.2013Рассмотрение структуры и принципа работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах. Регулирование частоты вращения асинхронного двигателя. Исследование основных технических данных и характеристик тиристорных преобразователей частоты.
курсовая работа, добавлен 05.06.2014Принципы и методы нормирования частоты и сопротивления в процессе расчета фильтров. Преобразование частоты и анализ полученных результатов. Особенности преобразования частоты как шкалы частот и как схемы фильтра, отличия и значение данных подходов.
лекция, добавлен 19.02.2014