Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре

Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.

Подобные документы

  • Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.

    лекция, добавлен 23.06.2013

  • Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.

    статья, добавлен 08.02.2017

  • Характеристика основных физических явлений в электролюминесцентных излучателях. Определение излучения диода, включенного в прямом и обратном направлениях. Анализ спектра отражения люминофора галофосфата кальция, активированного сурьмой и марганцем.

    дипломная работа, добавлен 16.11.2015

  • Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.

    краткое изложение, добавлен 14.11.2010

  • Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.

    статья, добавлен 06.09.2021

  • Классификация веществ по проводимости: проводники, полупроводники, диэлектрики. Движение электронов при увеличении температуры и воздействии на них электрического поля. Характеристика полупроводникового диода, его основные свойства и применение.

    презентация, добавлен 19.02.2016

  • Порядок исследования вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. Экспериментальные данные по определению барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия.

    статья, добавлен 25.03.2016

  • Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.

    реферат, добавлен 11.08.2014

  • Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.

    реферат, добавлен 11.11.2009

  • Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.

    лабораторная работа, добавлен 14.11.2015

  • Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.

    статья, добавлен 07.11.2018

  • Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.

    учебное пособие, добавлен 25.02.2014

  • Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.

    лекция, добавлен 06.02.2010

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.

    реферат, добавлен 20.10.2009

  • Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.

    лекция, добавлен 30.07.2013

  • Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.

    контрольная работа, добавлен 22.02.2010

  • Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

    дипломная работа, добавлен 14.09.2017

  • Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

    учебное пособие, добавлен 10.04.2015

  • Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.

    лабораторная работа, добавлен 23.03.2014

  • Основные параметры и характеристики оптического волокна. Апертура волоконного световода. Определение критической длины волн и частоты. Значение нормированной частоты, многомодовые системы. Затухание и дисперсия. Принципы спектрального уплотнения.

    курсовая работа, добавлен 17.09.2013

  • Задание физических характеристик нелинейных элементов при расчете электрических цепей. Графическая диаграмма вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Использование нелинейных свойств элементов электрических цепей в радиоэлектронике.

    лекция, добавлен 23.07.2013

  • Основные методы измерения частоты: общая характеристика и этапы данного процесса, метод перезаряда конденсатора, резонансный, сравнения и дискретного счета. Понятие о стандартах частоты и времени, методика прецизионного измерения данных величин.

    курсовая работа, добавлен 22.05.2013

  • Рассмотрение структуры и принципа работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах. Регулирование частоты вращения асинхронного двигателя. Исследование основных технических данных и характеристик тиристорных преобразователей частоты.

    курсовая работа, добавлен 05.06.2014

  • Принципы и методы нормирования частоты и сопротивления в процессе расчета фильтров. Преобразование частоты и анализ полученных результатов. Особенности преобразования частоты как шкалы частот и как схемы фильтра, отличия и значение данных подходов.

    лекция, добавлен 19.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.