Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
Подобные документы
Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Метод вычисления коэффициента прохождения частиц, времени их туннелирования через двойной барьер. Необратимость расплывания волновых пакетов во времени. Резонансные значения коэффициента прохождения и времени туннелирования нейтронов через два барьера.
статья, добавлен 14.11.2013Выбор по каталогу асинхронного двигателя и его обоснование. Расчет и построение механической характеристики. Определение частоты вращения при заданном моменте нагрузки, времени пуска двигателя, изменения частоты вращения при уменьшении напряжения на 10%.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Структурная схема преобразователя частоты с блоком постоянного тока. Принципиальная электрическая схема (силовая часть). Внешний вид, технические характеристики, клемная колодка (подключение), гарантийный период работы частотного преобразователя частоты.
реферат, добавлен 30.10.2014Определение диэлектрических потерь и проводимости экранов в силовых кабелях. Типовые конструкции современных проводов с изоляцией из сшитого полиэтилена. Проводящий экран из полимера. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от проводимости.
статья, добавлен 14.07.2016Применение метода молекулярной динамики для расчета процесса формирования ротационного поля в наноструктуре при растяжении. Характеристика расположения атомов в системе. Анализ изменения потенциальной энергии. Определение места и времени разрушения.
статья, добавлен 29.10.2018Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Колебания системы, возникающие под воздействием внешней вынуждающей силы. Различные случаи установления гармоничных качаний. Зависимость амплитуды установившихся колебаний и сдвига фаз от частоты внешней вынуждающей силы. Определение резонансной частоты.
контрольная работа, добавлен 02.11.2010Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Рассмотрение квантового эффекта Холла. Зонная диаграмма гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Зависимость холловского сопротивления и сопротивления от напряжения на затворе. Описание энергетического спектра электронов в постоянном однородном магнитном поле.
реферат, добавлен 12.09.2015Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017- 66. Основы физики
Закон изменения тока в цепи. Расчет посредственности импульсов при помощи функции Хэвисайда. Определение проводимости цепи; его зависимость от частоты. Нахождение сопротивления параллельного и последовательного соединения резистора и конденсатора.
контрольная работа, добавлен 11.05.2018 Изучение новых современных преобразователей частот на основе структур с компенсацией угла сноса. Построение схемы синтеза, измерения и создания генератора разностной частоты на основе нелинейного оптического кристалла. Вторичные опорные стандарты частоты.
автореферат, добавлен 03.02.2018Создание системы поддержания температурного режима прецизионных средств измерения, стандартов частоты и времени в ограниченном объеме. Принцип действия системы, основанный на алгоритме ПИД-регулирования. Результаты тестовой эксплуатации оборудования.
статья, добавлен 03.09.2021Понятие электронно-лучевой трубки, особенности управления лучом. Определение термина "вакуум", возможности электрического тока. Вольтамперная характеристика вакуумного диода, его использование для выпрямления переменного тока. Свойства электронных пучков.
реферат, добавлен 13.06.2015Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Сравнительный анализ технических решений стабилизаторов напряжения и частоты тока асинхронных генераторов ветроэлектрических установок, выполненных с использованием непосредственных преобразователей частоты. Технический потенциал ветровой энергетики.
статья, добавлен 12.05.2017Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Основы классической электронной теории проводимости металлов. Доказательство законов Ома и Джоуля-Ленца. Вакуумный диод и его вольтамперная характеристика. Законы Богуславского-Ленгмюра и Ричардсона-Дэшмана. Электрический ток в газе и в жидкости.
презентация, добавлен 12.04.2018Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Методика расчета импульсных регуляторов. Основные компоненты импульсных источников питания: дроссели, конденсаторы, управляемые ключи и трансформаторы. Схема повышающего импульсного и инвертирующего регулятора. Вольт-амперная характеристика диода.
лекция, добавлен 03.03.2017