Экспериментальное исследование и разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния ионизирующей радиации космического пространства
Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
Подобные документы
Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Анализ и использование I/O Buffer Information Specification. Измерение вольтамперных характеристик, описание процесса проведения измерений на переменном токе. Разработка интегральных схем на основе моделирования из качественной аналоговой модели.
статья, добавлен 25.04.2017Исследование процесса получения гибких экранов электромагнитного излучения методом инкорпорирования частиц технического углерода. Анализ частотных характеристик коэффициента отражения, передачи углеродосодержащих материалов. Состав панорамного измерителя.
статья, добавлен 03.05.2019Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
статья, добавлен 30.05.2017Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017Разработка математических моделей, описывающих зависимости контраста излучения вертолёта от дальности обнаружения в спектральном диапазоне 8-13 мкм. Методика проведения математического моделирования по обнаружению вертолёта. Порог обнаружения целей.
статья, добавлен 27.02.2019- 60. Стенд для измерения характеристик антенн с соосным расположением источника теплового воздействия
Рассмотрение особенностей технической реализации измерительного стенда для определения характеристик излучения бортовых антенн, предназначенных для работы в условиях высокотемпературного нагрева. Ошибки оценивания радиотехнических характеристик антенн.
статья, добавлен 04.11.2018 Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.
контрольная работа, добавлен 03.06.2014Расчет характеристик излучения антенн на основе биизотропных киральных метаматериалов. Рассмотрение электромагнитных волн круговой поляризации в азимутальных направлениях. Расположение антенн на металлических поверхностях, изменение их характеристик.
статья, добавлен 02.04.2019Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012- 67. Способ пеленгации источников когерентного излучения с использованием модифицированного метода Прони
Исследование результатов имитационного моделирования процесса пеленгации системы, состоящей из двух источников когерентных излучения дополненной источником-эквивалентом фонового излучения. Характеристика математической модели лоцируемого объекта.
статья, добавлен 27.02.2019 Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Проводники электромагнитных волн, особенности теории волноводов. Способы и методы детектирования электромагнитного излучения. Принцип действия и особенности КРТ-детектора. Сущность, специфика и предназначение приемников излучения, их классификация.
дипломная работа, добавлен 05.11.2016Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Улучшение массогабаритных характеристик твердотельных источников электромагнитного излучения СВЧ диапазона. Исследование нелинейной динамики антенн-генераторов (активных антенн) на полевых транзисторах в одночастотном, многочастотном, хаотическом режимах.
статья, добавлен 05.11.2018Закономерности распространения оптического излучения в анизотропной среде. Сбор и анализ данных по длине волновода. Разработка метода проведения расчетов характеристик излучаемых мод планарных световодов при их продольном двустороннем механическом сжатии.
автореферат, добавлен 19.07.2018Влияние отказов каналов активной фазированной антенной решетки (АФАР), размещаемой на космическом аппарате, на характеристики излучения. Результаты анализа характеристик излучения при отказах каналов. Нагружение излучателя на согласованную нагрузку.
статья, добавлен 05.11.2018