Экспериментальное исследование и разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния ионизирующей радиации космического пространства
Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
Подобные документы
Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017Принципы работы операционного усилителя в различных схемах включения. Анализ влияния гамма-излучения на основные характеристики. Схемотехническое моделирование характеристик с учётом влияния гамма-излучения. Определение радиационно-зависимых параметров.
дипломная работа, добавлен 23.12.2015Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.
статья, добавлен 22.03.2018- 7. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Получение основных характеристик КМОП-устройств, а именно инвертора и операционного усилителя под воздействием электрического стресса с помощью программного моделирования. Анализ старения КМОП-устройств. Инструменты для анализа временной деградации.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.
автореферат, добавлен 02.08.2018Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
методичка, добавлен 29.11.2012Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Анализ способа улучшения направленных характеристик биконической антенны путем введения в апертуру неоднородной среды с переменной диэлектрической проницаемостью. Характеристика недостатков и преимуществ биконической антенны, рассмотрение особенностей.
статья, добавлен 02.04.2019История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010