Электропроводность полупроводников
Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
Подобные документы
Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Физические основы действия проводниковых и резистивных материалов. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников. Влияние примесей на свойства и электропроводность металлов. Сопротивление проводников на высоких частотах.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018Изучение методики расчета плотности распределения и начальных моментов времени пребывания суперпозиций потоков прямоугольных импульсов в заданном состоянии. Характеристика частных случаев распределения длительностей импульсов и пауз парциальных потоков.
статья, добавлен 30.10.2018Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Классификация дискретных систем. Особенности процессов в дискретных системах. Типовые дискретные звенья. Частотные характеристики и структурная схема дискретной следящей системы. Функция единичного скачка (Хевисайда). Дельта-функция (функция Дирака).
курсовая работа, добавлен 12.03.2012Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Рассмотрение процесса ускорения плотных электронных сгустков, получаемых путем ионизации тонких пленок электромагнитными импульсами. Метод ускорения сгустка последовательностью гауссовых импульсов, не имеющий ограничений на максимальное значение энергии.
статья, добавлен 04.11.2018Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Расчет электронной пушки методом синтеза и анализа. Подбор выходных параметров пучка: траектории, тока, коэффициента заполнения. Конструкция электронной пушки, создающей интенсивный электронный пучок с большим током и ламинарным движением электронов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Моделирование формирования сигналов на выходе фотоэлектронного устройства сцинтилляционного детектора. Проверка качества моделирования по статистике полного фотоэлектронного заряда единичных импульсов. Реализация выходного распределения потока электронов.
статья, добавлен 15.11.2018Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Рассмотрение и выбор подходящего схемотехнического решения сигнализатора отключения электрического тока. Выбор корпуса и электронных комплектующих. Токи и мощности резисторов. Расчет ширины печатного проводника. Стоимость изготовления печатных плат.
контрольная работа, добавлен 26.12.2022Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Разработка открытых неоднородных направляющих структур для распределения электромагнитной энергии в трубе с диссипативной средой. Анализ математической модели распределения электромагнитной энергии в канале с многослойной коаксиальной структурой.
автореферат, добавлен 28.03.2018Сущность электронной проводимости металлов. Ионная электропроводность электролитов и высокомолекулярных соединений. Применение материалов со смешанными физико-химическими свойствами. Явление нестехиометрии. Строение молекул "органических металлов".
курсовая работа, добавлен 18.01.2015- 49. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Особенность основного закона распределения вероятности значений и измеряемой величины интервала. Характеристика однократного измерения силы электрического тока при помощи амперметра. Проведение исследования находки количества измерительной информации.
контрольная работа, добавлен 13.04.2016