Электропроводность полупроводников
Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
Подобные документы
Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
учебное пособие, добавлен 22.08.2015Первопричина магнитных свойств радиоматериалов - внутренние скрытые формы движения электронов. Возникновение спиновых магнитных моментов. Сумма орбитального и спинового магнитных моментов. Магнитная восприимчивость как безразмерный коэффициент материала.
презентация, добавлен 23.09.2016Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Осциллограмма телевизионного сигнала. Процесс бомбардировки изолированной мишени пучком электронов. От чего зависит цвет свечения и яркость экрана кинескопа. Величина цветоразностного сигнала. Уровни черного, белого, гасящих и синхронизирующих импульсов.
контрольная работа, добавлен 25.12.2015Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.
автореферат, добавлен 08.02.2018Принцип действия датчиков импульсных магнитных полей на основе эффектов Холла и магнитосопротивления. Основные причины движения электронов вдоль проводника. Особенности работы феррозондовых измерителей. Схема замещения индукционного преобразователя.
статья, добавлен 29.09.2016Комплектный тиристорный преобразователь постоянного тока. Высокие значения напряжённости электрического поля - причина возникновения дуги в вакууме благодаря автоэлектронной эмиссии. Изоляционный промежуток после гашения дуги и смыкания контактов ДУ.
отчет по практике, добавлен 20.03.2023Основные методы получения низких частот вращения электрического привода переменного тока с короткозамкнутым или фазным ротором. Методика определения магнитного сопротивления зубцовой части статора и площади, по которой проходит силовая линия магнита.
статья, добавлен 26.05.2017История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.
статья, добавлен 27.02.2016Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Расчёт параметров термоэмиссионного катода вакуумного электронно–лучевого прибора и электростатической системы управления потоком электронов. Устройство и принцип работы кинескопа. Ионная ловушка. Проблема ускоренного износа катода. Процесс развёртки.
курсовая работа, добавлен 08.12.2016Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Характеристики статического электротехнического устройства, предназначенного для генерирования, передачи и потребления электроэнергии и информации. Работа магнитной системы и токопроводов трансформатора. Суть действующего значения переменного тока.
презентация, добавлен 08.03.2015Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Выбор источника свободной энергии. Выбор схемы сбора энергии из окружающей среды и генерации электрического сигнала. Принцип работы электростатического микрогенератора. Выбор преобразователя генерируемого сигнала. Выбор схемы стабилизатора напряжения.
дипломная работа, добавлен 28.05.2018Изучение функций кросса АТС - необходимого элемента системы телефонной связи. Схема протекания разговорного тока. Принцип работы системы контроля за наличием посторонних напряжений с применением сенсорных датчиков, компьютеров и микропроцессоров.
статья, добавлен 21.09.2013Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015