Электропроводность полупроводников
Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
Подобные документы
Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
учебное пособие, добавлен 22.08.2015Первопричина магнитных свойств радиоматериалов - внутренние скрытые формы движения электронов. Возникновение спиновых магнитных моментов. Сумма орбитального и спинового магнитных моментов. Магнитная восприимчивость как безразмерный коэффициент материала.
презентация, добавлен 23.09.2016Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013Осциллограмма телевизионного сигнала. Процесс бомбардировки изолированной мишени пучком электронов. От чего зависит цвет свечения и яркость экрана кинескопа. Величина цветоразностного сигнала. Уровни черного, белого, гасящих и синхронизирующих импульсов.
контрольная работа, добавлен 25.12.2015Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.
автореферат, добавлен 08.02.2018Принцип действия датчиков импульсных магнитных полей на основе эффектов Холла и магнитосопротивления. Основные причины движения электронов вдоль проводника. Особенности работы феррозондовых измерителей. Схема замещения индукционного преобразователя.
статья, добавлен 29.09.2016Комплектный тиристорный преобразователь постоянного тока. Высокие значения напряжённости электрического поля - причина возникновения дуги в вакууме благодаря автоэлектронной эмиссии. Изоляционный промежуток после гашения дуги и смыкания контактов ДУ.
отчет по практике, добавлен 20.03.2023Основные методы получения низких частот вращения электрического привода переменного тока с короткозамкнутым или фазным ротором. Методика определения магнитного сопротивления зубцовой части статора и площади, по которой проходит силовая линия магнита.
статья, добавлен 26.05.2017Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.
статья, добавлен 27.02.2016История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Расчёт параметров термоэмиссионного катода вакуумного электронно–лучевого прибора и электростатической системы управления потоком электронов. Устройство и принцип работы кинескопа. Ионная ловушка. Проблема ускоренного износа катода. Процесс развёртки.
курсовая работа, добавлен 08.12.2016Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Характеристики статического электротехнического устройства, предназначенного для генерирования, передачи и потребления электроэнергии и информации. Работа магнитной системы и токопроводов трансформатора. Суть действующего значения переменного тока.
презентация, добавлен 08.03.2015Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Изучение функций кросса АТС - необходимого элемента системы телефонной связи. Схема протекания разговорного тока. Принцип работы системы контроля за наличием посторонних напряжений с применением сенсорных датчиков, компьютеров и микропроцессоров.
статья, добавлен 21.09.2013Выбор источника свободной энергии. Выбор схемы сбора энергии из окружающей среды и генерации электрического сигнала. Принцип работы электростатического микрогенератора. Выбор преобразователя генерируемого сигнала. Выбор схемы стабилизатора напряжения.
дипломная работа, добавлен 28.05.2018Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015