Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния
Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
Подобные документы
Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Знакомство с моделями активных элементов и принципами построения приборов для измерения параметров активных элементов электрических цепей. Измерение вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов. Расчет основных параметров в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 29.01.2015Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
учебное пособие, добавлен 26.09.2017Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Электрофизические свойства объемного арсенида индия: структура, оптические характеристики, подвижность. Методы глубокой очистки индия. Получение мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
реферат, добавлен 07.10.2010Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Исследование электронных ключей на биполярных транзисторах и интегральных логических микросхем. Мультивибраторы на логических элементах. Триггерные структуры на интегральных микросхемах. Принцип действия реверсивного двоичного счетчика импульсов.
методичка, добавлен 18.04.2014Рассмотрение схем, реализованных на стандартных интегральных микросхемах. Характеристика интегральных микросхем преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов. Исследование принципа действия мультиплексора и демультиплексора и их обобщенной схемы.
реферат, добавлен 21.02.2015- 91. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Чувствительность к перегрузке и изменению температуры - одна из отличительных особенностей полупроводниковых приборов. Методика определения постоянной составляющей анодного тока в пиковой точке. Анализ системы охлаждения радиопередающего устройства.
курсовая работа, добавлен 28.01.2019Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.
лекция, добавлен 21.02.2015Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Осуществление контроля основных параметров микропроцессорных и микроконтроллерных интегральных схем. Основы безопасности при работе с электрическим напряжением. Разработка и проектирование шифраторов и дешифраторов. Устройство ввода-вывода для IBM PС.
отчет по практике, добавлен 28.05.2015Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Определение понятия, а также основных свойств коммутатора. Выбор и обоснование схемы структурного коммутатора. Выбор серии интегральных микросхем, схемы электрической принципиальной. Расчет тактового генератора. Моделирование электронного коммутатора.
курсовая работа, добавлен 17.04.2014Основная характеристика функционирования современных автоматизированных систем управления технологическим процессом электролизеров Содерберга. Разработка укрупненного алгоритма процедуры контроля составляющих оптического спектра дожигаемых анодных газов.
статья, добавлен 06.05.2018Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
презентация, добавлен 26.10.2013