Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния
Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
Подобные документы
Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Анализ современного состояния проектирования и технологии тонкопленочных элементов, плат и микросборки. Влияние конструктивно-технологических факторов на сопротивление тонкопленочного резистора. Формулы для расчета участков контактного сопротивления.
автореферат, добавлен 14.02.2018Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Современное состояние производства гибких печатных плат. Технологические методы и оборудование для нанесения проводящего слоя на полимерную пленку. Рассмотрение методов повышения адгезионной способности покрытий. Классификация гибких печатных плат.
диссертация, добавлен 23.12.2013- 110. Интегральные схемы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021 Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.
методичка, добавлен 23.06.2013- 117. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Решение проблемы создания СВЧ модулей высокой степени интеграции для систем космической связи. Определение требований к микроэлектромеханическим элементам, изготовленных на основе аморфных алмазоподобных пленок, для использования в СВЧ диапазоне частот.
автореферат, добавлен 13.02.2018Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Электрические связи в матричных интегральных схемах. Разработка технологического маршрута изготовления базовых матричных кристаллов. Разработка эскизного ТП с использованием программы SSUPREM-3. Оптимизация блока формирования спейсеров, базы стабилитрона.
дипломная работа, добавлен 09.01.2011Описание функционального назначения микропроцессорной системы. Главная сущность используемых микросхем. Особенность распределения адресного пространства. Анализ тактового генератора и буферных регистров. Характеристика работы принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 08.04.2016Характеристика плёночных и гибридных интегральных микросхем, область их применения и преимущества. Пассивные элементы микросхем. Выполнение арифметических действий в двоичной системе счисления, проверка ответа переводом его в десятичную систему счисления.
курсовая работа, добавлен 10.10.2017Проектирование и разработка современной радиоприёмной аппаратуры на основе микросборок с интегральными микросхемами, содержащими активные элементы. Разработка и построение перспективных моделей радиоприёмников с использованием интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010