Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний
Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
Подобные документы
Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Схема фотоэлектрического модуля на основе кремниевого матричного солнечного элемента с линзой Френеля в качестве концентратора. Бесхлорная технология получения кремния для МСЭ. Глобальная солнечная энергетическая система. Использование энергии биомассы.
статья, добавлен 02.02.2019Определение электродвижущей силы источника тока, внутреннего сопротивления источника тока, исследование характера зависимостей полезной и полной мощности, развиваемых источником тока и его коэффициента полезного действия от нагрузочного сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.04.2019Исследование морфологии пленок Al и ХСП на пористых, кристаллических подложках. Изучение особенностей релаксации напряжений в исследуемых структурах и происходящих процессов модификации поверхности пленок теллурида свинца при обработке в аргоновой плазме.
автореферат, добавлен 02.08.2018Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Математическая модель области пространственного заряда биполярной мембраны, строение в условиях протекания постоянного электрического тока и в его отсутствии. Влияние соединения металла хрома(III) на скорость диссоциации воды в биполярной мембране.
статья, добавлен 19.05.2017Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Разработка систем на основе энергии Солнца. Преимущества и недостатки технологии тонкопленочных солнечных элементов из аморфного гидрогенизированного и микрокристаллического кремния. Методы получения пленок. Повышение конкурентоспособности фотовольтаики.
статья, добавлен 15.06.2018- 36. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 - 37. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Кремний как стандартный материал современной микро- и наноэлектроники, особенности и условия его эффективного применения. Разработка и использование микроэлектронных и микроэлектромеханических компонентов, их внутренняя структура и принцип работы.
статья, добавлен 13.11.2018Влияние напряжённости поперечного электрического поля затворов полевого датчика Холла. Ступенчатые скачки тока на вольт-амперной характеристике в режиме лавинного умножения носителя. Физические принципы схемотехнических способов измерения магнитных полей.
автореферат, добавлен 29.10.2018Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.
курс лекций, добавлен 26.03.2014- 42. Ресурсосберегающие технологии и их реализация на основе системы неполяризованных ионных радиусов
Исследование физических свойств атомов или ионов при описании характера межатомного взаимодействия различных по природе химической связи веществ. Влияние примесей разных элементов в монокристаллах кремния на термическую стабильность его качеств.
статья, добавлен 21.01.2018 Изучение кинетики анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах. Анализ степени влияния связных добавок на состав, строение и свойства пленок анода диоксида силиция. Создание элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.
автореферат, добавлен 15.11.2015- 44. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Основы технологии выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава без формообразователя. Расчёт процессов теплопереноса в системе "полый цилиндрический кристалл-расплав" в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла.
автореферат, добавлен 14.08.2018 Структура высокотемпературных сверхпроводников. Германий и кремний как элементы IV группы, имеют кристаллическую решетку алмаза с ковалентным типом межатомной связи. Выращивание монокристалла методом Чохральского. Стабильность структуры диэлектриков.
контрольная работа, добавлен 11.09.2020Физические принципы колебательной спектроскопии. Вращательные и колебательные спектры. Влияние фазового состояния вещества на ИК-спектры. Колебательные свойства атомов примесей в аморфном кремнии. Области применения методов колебательной спектроскопии.
лабораторная работа, добавлен 21.01.2011Определение электродвижущей силы источника тока электрической цепи и его внутреннего сопротивления. Исследование зависимостей полезной и полной мощности, развиваемых источником тока, и его коэффициента полезного действия от нагрузочного сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 04.02.2015Установление послойного элементного состава структур покрытие / подложка, формируемых на кремнии и графите ионно-ассистированным нанесением покрытий в условиях самооблучения. Развитие физической модели изменения структуры и смачиваемости поверхности.
автореферат, добавлен 19.08.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Определение амплитудного и эффективного напряжения холостого хода из осциллограмм, пульсации постоянного напряжения. Получение тока режимов работы высоковольтного газоразрядного источника тока. Анализ и апробация режимов работы на различных разрядах.
статья, добавлен 20.05.2018