Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний
Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
Подобные документы
Обзор современного состояния солнечной энергетики на основе кремния. Металлургический кремний, производимый в руднотермических печах (РТП), с последующей очисткой от примесей и с получением поликремния. Термодинамическая модель выплавки кремния в РТП.
статья, добавлен 28.01.2019Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Структуры с селективным эмиттером и пассивацией поверхности двухслойным покрытием. Солнечные элементы на основе гетеропереходов кремний - аморфный кремний (Si-а-Si). Термодинамические потери мощности, связанные с генерацией "горячих" носителей тока.
статья, добавлен 16.11.2018Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.
дипломная работа, добавлен 15.10.2013Влияние лазерного вещества на конструкцию фотоэлемента из тонких пленок оксида цинка, аморфного кремния на стекле. Моделирование рекристаллизации в твердофазном состоянии. Взаимодействие поверхности кремния при воздействии импульсного лазерного излучения.
статья, добавлен 30.07.2017Определение понятия эпитаксии. Ознакомление с методами определения эпитаксиальных слоев. Рассмотрение преимуществ Фурье-спектрометрии. Изучение спектральной зависимости показателя преломления кремния с различной концентрацией свободных носителей.
курсовая работа, добавлен 28.03.2023Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
статья, добавлен 14.11.2013Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018Изготовление тепловых интерференционных фильтров на основе слоев двуокиси гафния с показателем преломления n = 2,0 и двуокиси кремния с n = 1,45. Разработка фильтров с высоким пропусканием в видимой области спектра за счет использования слоев кремния.
творческая работа, добавлен 30.11.2018Матричные солнечные элементы первого, второго и третьего поколения на основе монокристаллического кремния с КПД более 25%. Основные методики исследований МСЭ при солнечном освещении. Методика исследований МСЭ при освещении импульсным имитатором.
презентация, добавлен 00.00.0000Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Использование кремния в качестве материала для производства солнечных элементов. Изучение механизма формирования элементных и оксидных примесных включений в рафинированном кремнии при его кристаллизации, применение и специфика окислительного способа.
статья, добавлен 28.01.2019Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018Исследование влияния механизма дырочного допирования на электрохимическое поведение манганитов методом вольтамперометрии с использованием угольно-пастового электроактивного электрода. Механизм образования дырок. Корреляция с концентрацией носителей тока.
статья, добавлен 02.04.2019Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
статья, добавлен 22.06.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018