Особенности полупроводников, их отличие от проводников и диэлектриков
Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
Подобные документы
Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Описание метода контроля параметров электроакустических преобразователей пьезоэлектрического типа в составе акустических антенных решеток по электрическим измерениям. Определение интеграла (площади под кривой) от активной составляющей проводимости.
статья, добавлен 29.07.2017Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Принцип действия защитного устройства для приборов. Закон полноты частей системы, энергетической и информационной проводимости, согласования-рассогласования, увеличения степени идеальности, повышения динамичности и управляемости, перехода на микроуровень.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Выбор типа проводимости транзисторов. Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов постоянными напряжениями и токами. Расчет элементов на постоянном токе. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов. Коэффициент усиления тракта.
курсовая работа, добавлен 04.04.2023Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018Параметры стабилизаторов постоянного напряжения. Относительные приращения напряжений на входе и на выходе стабилизатора. Гашение избытка входного напряжения на регулирующем транзисторе. Изменение проводимости в соответствии с управляющим сигналом.
лабораторная работа, добавлен 11.10.2017Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Ферми поверхность – изоэнергетическая поверхность, ограничивающая в пространстве квазиимпульсов область энергетических состояний, занятых электронами проводимости. Ферми-Дирака статистика – квантовая статистика для систем тождественных фермионов.
презентация, добавлен 23.09.2016Тип проводимости транзистора. Амплитудное значение входного напряжения. Внутреннее сопротивление источника. Нижняя и верхняя циклические частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент частотных искажений амплитудно-частотных характеристик усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.05.2012Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.
курсовая работа, добавлен 14.04.2017Разработка структурной и принципиальной схем генератора прямоугольных импульсов. Построение операционного усилителя импульсных сигналов. Проверка ОУ по допустимому выходному току. Расчет ограничителя и регулятора. Выбор типа проводимости транзистора.
курсовая работа, добавлен 11.01.2021Понятие микроканальной пластины, стадии формирования резистивно-эмиссионного слоя. Описание термовакуумного обезгаживания, применение фотонной обработки с использованием ультрафиолетового излучения. Изменение тока проводимости микроканальной пластины.
статья, добавлен 28.05.2017Построение электрического эквивалента нагрузки. Зависимость проводимости от частоты. Расчет квазиполосовой согласующей цепи. Коэффициент трансформации цепи. Величина полосовой добротности нагрузки. Потенциальные возможности оптимальной согласующей цепи.
контрольная работа, добавлен 23.11.2015Частота механического резонанса как один из основных показателей резонансных систем. Анализ эквивалентной электрической схемы пьезокерамического элемента. Методика расчета добротности по частотной характеристике активной составляющей проводимости.
статья, добавлен 28.05.2017Исследование механизма внутренней электротермической деградации волоконно-оптического кабеля. Регистрация изменений проводимости внутренних компонентов ВОК, влияние воздействия переменного электромагнитного поля высокой напряжённости на их закономерность.
статья, добавлен 30.05.2017Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.
курс лекций, добавлен 09.07.2017Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.
контрольная работа, добавлен 17.05.2014Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Принципиальное отличие энергетического спектра квантовой точки от спектра квантовой ямы. Механизмы самоорганизованного роста тонкого слоя на поверхности монокристалла. Спектры фотолюминисценции.
презентация, добавлен 24.05.2014Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Навыки работы в автоматизированной среде Multisim 10. Разработка и исследование мультивибратора на биполярных транзисторах одной проводимости. Исследование компаратора на основе операционного усилителя. Разработка одновибратора в интегральном исполнении.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015- 74. Компьютерное моделирование кондуктометрических измерительных преобразователей в программе TiNA-Ti
Моделирование контактных кондуктометрических измерительных преобразователей с использованием программы схемотехнического анализа TINA-Ti. Экономический анализ электронных схем с использованием электронных программ преобразователей измерения проводимости.
статья, добавлен 29.12.2020 Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018