Особенности полупроводников, их отличие от проводников и диэлектриков
Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
Подобные документы
Устройство, принцип работы и использование датчиков давления и источников звука. Кварц и пьезокерамика. Схема установки для оценки коэффициента пропускания. Сканирующая зондовая микроскопия. Устройство манипуляторов и пьезоэлектриков-полупроводников.
презентация, добавлен 07.11.2011Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
статья, добавлен 29.05.2017Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015- 105. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Электроизоляционные материалы - вещества, с помощью которых осуществляется изоляция элементов и частей электрооборудования, находящихся под разными электрическими потенциалами. Характеристика электропроводности твердых, газообразных и жидких диэлектриков.
реферат, добавлен 06.02.2011Методика определения величины локального поля в жидких и твердых диэлектриках. Поляризованность как совокупность вкладов различных видов поляризации. Особенности диэлектрической проницаемости газов. Приближение Лоренца при расчете внутреннего поля.
статья, добавлен 18.09.2015Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018- 109. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Характеристика службы 911 и требования Американской Федеральной комиссии связи. Проблема возможности предоставления провайдерами VoIP информации о местоположении пользователей. Сетевая архитектура 911 в решениях NENA. Характеристика контакт-центров 112.
статья, добавлен 19.02.2016Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Словесное описание работы программы, блок схемы алгоритмов программ и подпрограмм. Влияние примесей на свойства полупроводников, блок схема алгоритма программы. Введенные и рассчитанные значения, графики зависимости. Результаты работы программы в Mathcad.
курсовая работа, добавлен 31.05.2018Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Методика определения критического значения напряженности электрического поля, при котором возникают стримерные вспышки. Исследование основных показателей осциллограммы силы тока коронного разряда при изменении напряжения на потенциальной плоскости.
статья, добавлен 29.09.2016Модель информационно-аналитической системы управления качеством процесса выращивания монокристаллов. Подсистемы мониторинга температурных полей, поддержки принятия решений по коррекции режима выращивания, оптимизации параметров ростовой установки.
статья, добавлен 19.06.2018Характеристика емкости конденсаторов, их диэлектрической проницаемости, токов утечки и постоянной времени конденсаторов. Изучение сопротивления диэлектриков по постоянному току, электрической прочности. Анализ типов конденсаторов по постоянной емкости.
реферат, добавлен 13.10.2014Физические основы действия проводниковых и резистивных материалов. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников. Влияние примесей на свойства и электропроводность металлов. Сопротивление проводников на высоких частотах.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Характеристика проектируемой автоматической телефонной станции. Определение входящих потоков нагрузки на расчет секции абонентской ступени. Особенности блока многочастотных приемопередатчиков. Коммутационное поле и процесс установления соединений.
курсовая работа, добавлен 26.04.2015Процесс проявления для фоторезистов. Процесс проявления несшитих участков слоя. Химическая реакция превращения инденкарбоновых кислот в растворимые соли. Чувствительность фоторезистов ультрафиолетовой области. Контакт фотошаблона с фоторезистом в ваккуме.
реферат, добавлен 20.02.2014Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012- 121. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Исследование систем телеизмерения с различными типами модуляции и влиянием помех на характеристики передаваемого сигнала в этих системах. Оценка степени влияния непрерывной помехи в линии связи на точность передачи сигнала. Схема системы телеизмерения.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2020История развития центров обслуживания вызовов. Возможные сценарии обслуживания вызова, принципы их модульной комплектации. Использование протокола TCP/IP для передачи речевой информации. Разработка алгоритма прослушивания переговоров в контакт-центре.
дипломная работа, добавлен 23.09.2010Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Электрический контакт - поверхность соприкосновения проводящих электрический ток материалов. Свойства бессвинцовых припоев. Типы электроконтактов, понятие процесса пайки. Пайка по бессвинцовой технологии, внешний вид контактов и их возможные дефекты.
курсовая работа, добавлен 08.08.2013