Фотоприемники на МДП-структурах
Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
Подобные документы
Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 28. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Технология измерение электрических величин аналоговыми приборами. Методы преобразования данных в цифровой код. Сфера применения цифровых измерительных устройств и преобразователей. Их принципиальные микросхемы и порядок работы на заданных режимах.
отчет по практике, добавлен 14.12.2017Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Принципы работы выпрямителей, сфера применения устройств. Способы их классификации по ряду признаков. Типовые схемы выпрямителей. Характеристика и разновидности выпрямителей: принципиальные схемы, особенности их работы, достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 10.09.2012Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017- 37. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Практическое использование магнетронов - электровакуумных приборов для генерации радиоволн сверхвысокой частоты, в электронике и радиотехнике, в радиолокационных станциях, для высокочастотного нагрева пищи и металлов, для ускорения заряженных частиц.
статья, добавлен 25.02.2019Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Назначение и область применения оптоэлектронных запоминающих устройств. Устройство и технические характеристики привода CD-ROM. Принцип действия и особенности переносных и стационарных электронных накопителей. Перспективы развития оптоэлектроники.
курсовая работа, добавлен 07.06.2010Составление и обоснование перечня измерительных приборов и стандартного оборудования, требуемых для проведения диагностики и последующего ремонта плоттера. Функциональные и принципиальные схемы мультиметра, выбор паяльной станции и его обоснование.
курсовая работа, добавлен 16.04.2014Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Корпуса устройств микроконтроллеров, используемые в их изготовлении материалы и оборудование, классификация и типы, обоснование использования. Системы питания, определение потребляемой мощности. Сторожевые таймеры и механизмы прерывания аппаратов.
реферат, добавлен 03.12.2011Описание государственной системы промышленных приборов и средств автоматизации, состоящей из устройств получения, передачи, хранения, обработки и представления информации о состоянии и ходе различных процессов и выработки управляющих воздействий на них.
реферат, добавлен 04.10.2013Особенность работы оптоэлектронных устройств. Оптрон, как основной элемент оптоэлектроники. Синтез принципа действия инжекционного светодиода. Анализ главных материалов для фотодиодов. Суть несимметричного поверхностного диэлектрического волновода.
лекция, добавлен 25.07.2015Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018