Фотоприемники на МДП-структурах
Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
Подобные документы
Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Требования к методам и средствам регистрации излучений. Новейшие исследования и разработки в области электронных цифровых приёмных устройств оптического излучения. Задача повышения пространственного разрешения при сохранении линейных размеров пикселей.
статья, добавлен 07.11.2018Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 30. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Технология измерение электрических величин аналоговыми приборами. Методы преобразования данных в цифровой код. Сфера применения цифровых измерительных устройств и преобразователей. Их принципиальные микросхемы и порядок работы на заданных режимах.
отчет по практике, добавлен 14.12.2017Принципы работы выпрямителей, сфера применения устройств. Способы их классификации по ряду признаков. Типовые схемы выпрямителей. Характеристика и разновидности выпрямителей: принципиальные схемы, особенности их работы, достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 10.09.2012Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017- 39. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Практическое использование магнетронов - электровакуумных приборов для генерации радиоволн сверхвысокой частоты, в электронике и радиотехнике, в радиолокационных станциях, для высокочастотного нагрева пищи и металлов, для ускорения заряженных частиц.
статья, добавлен 25.02.2019Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Составление и обоснование перечня измерительных приборов и стандартного оборудования, требуемых для проведения диагностики и последующего ремонта плоттера. Функциональные и принципиальные схемы мультиметра, выбор паяльной станции и его обоснование.
курсовая работа, добавлен 16.04.2014Назначение и область применения оптоэлектронных запоминающих устройств. Устройство и технические характеристики привода CD-ROM. Принцип действия и особенности переносных и стационарных электронных накопителей. Перспективы развития оптоэлектроники.
курсовая работа, добавлен 07.06.2010Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Корпуса устройств микроконтроллеров, используемые в их изготовлении материалы и оборудование, классификация и типы, обоснование использования. Системы питания, определение потребляемой мощности. Сторожевые таймеры и механизмы прерывания аппаратов.
реферат, добавлен 03.12.2011Описание государственной системы промышленных приборов и средств автоматизации, состоящей из устройств получения, передачи, хранения, обработки и представления информации о состоянии и ходе различных процессов и выработки управляющих воздействий на них.
реферат, добавлен 04.10.2013Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013