Фотоприемники на МДП-структурах
Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
Подобные документы
Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Спектральная задача в области с киральным заполнением. Начально-краевая задача о возбуждении электромагнитных колебаний в области с неоднородным киральным заполнением. Характеристическое уравнение для собственных частот сферического кирального резонатора.
статья, добавлен 06.11.2018Понятие телевизионных устройств, систем, принципы их работы. Принцип функционирования системы автоматического регулирования. Основные особенности сигналов и общие принципы построения совместимых систем цветного телевидения. Приемники цветного телевидения.
лекция, добавлен 07.08.2015Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Перечень требований, предъявляемых к проводникам и токопроводящих жилам в производстве кабелей связи. Свойства диэлектриков и виды изоляции. Материалы для изготовления симметричных высокочастотных кабелей. Преимущества поливинилхлоридных оболочек.
реферат, добавлен 13.03.2015Устройство, схемы и принцип действия приборов магнитоэлектрического, электромагнитного, электродинамического и ферродинамического типов. Их достоинства и применение. Использование астатических приборов для защиты от влияния внешних магнитных полей.
реферат, добавлен 25.05.2014Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
лабораторная работа, добавлен 25.09.2017Характеристика технологии изготовления печатных плат (конструктива электронных устройств, представляющего собой жесткую или гибкую пластинку из диэлектрика). Функциональные и технологические платы и строение их микрокорпусов. Методы нанесения рисунка.
курсовая работа, добавлен 22.07.2011Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Проблема транспортировки электронного пучка с эллиптическим сечением при однородном и неоднородном распределении плотности пространственного заряда. Изменение эмиссионной способности под действием ионной бомбардировки. Эквипотенциальные поверхности.
статья, добавлен 03.11.2018Задача параметрического синтеза развязывающих устройств системы управления ректификационной колонной на базе виртуальных анализаторов в условиях неопределенности. Оптимальные параметры регуляторов и развязывающих устройств. Разработка системы управления.
статья, добавлен 15.10.2021Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Определения и классификация измерительных приборов по типу измеряемой величины. Измерительные генераторы для получения информации и генерации сигнала, их функциональная классификация. Электронные вольтметры, осциллоскопы и измерение временных интервалов.
курс лекций, добавлен 04.03.2014Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.
учебное пособие, добавлен 02.11.2014Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Практическая значимость изучения частотных свойств магнетронных автогенераторов. Электронное смещение частоты - изменение частоты магнетрона при изменении анодного тока. Фазовое положение спиц пространственного заряда для значений анодного напряжения.
статья, добавлен 24.10.2010- 93. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Синхронность напряжения на шинах и линии устройств автоматического повторного включения, применяемых на одиночных транзитных линиях, а также на транзитных линиях. График работы, достоинства и недостатки устройств автоматического повторного включения.
презентация, добавлен 20.11.2016Создание безопасных электроустановок как важнейшая проблема современной электроэнергетики Российской Федерации. Рассмотрение принципа действия защитного заземления. Основные типы заземляющих устройств. Расчет защитного заземления электроустановок.
контрольная работа, добавлен 29.09.2017Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Электроизоляционные материалы - вещества, с помощью которых осуществляется изоляция элементов и частей электрооборудования, находящихся под разными электрическими потенциалами. Характеристика электропроводности твердых, газообразных и жидких диэлектриков.
реферат, добавлен 06.02.2011Изучение альтернативных вариантов функциональных элементов выпрямительных устройств. Определение величины типовой габаритной мощности трансформатора. Расчет длины вектора качества, объёма батареи конденсаторов, потерь мощности в полупроводниковых диодах.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Основные понятия и задачи теории автоматического управления и его основные виды. Работа регулирующих микропроцессорных цифровых устройств, каналов связи, приводов и датчиков, образующих систему управления, их виды (непрерывные, стационарные, дискретные).
учебное пособие, добавлен 06.04.2015