Основные вопросы наноэлектроники
Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
Подобные документы
Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Выбор материала для изготовления печатной платы. Вычисление взаимной емкости и индуктивности проводников. Оценочный расчет теплового режима, вибропрочности и надежности пластины из диэлектрика. Особенность разработки технологического процесса сборки.
курсовая работа, добавлен 03.07.2018Анализ элементной базы. Требования, предъявляемые к электронной аппаратуре. Оборудование для подготовки компонентов, устанавливаемых на плате. Выбор метода изготовления. Основные этапы сборки и монтажа усилителя. Диагностический контроль и разбраковка.
курсовая работа, добавлен 10.05.2017Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Общая характеристика этапов расчета каскада транзисторного усилителя по напряжению питания. Рассмотрение особенностей выбора предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттер. Знакомство со способами определения типа транзистора, его режима работы.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Анализ схемы технологического процесса изготовления многослойных печатных плат с использованием метода металлизации сквозных отверстий. Методика определения погрешности расположения контактной площадки при изготовлении односторонних печатных плат.
контрольная работа, добавлен 09.12.2021Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
лекция, добавлен 17.08.2014Расчет усилителя мощности звуковой частоты на основе операционного усилителя К154УД и кремниевых транзисторов с учетом защиты выходного каскада и внешней коррекции напряжения смещения нуля. Выбор типа электронных компонентов, входящих в состав устройства.
курсовая работа, добавлен 17.05.2010Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
дипломная работа, добавлен 10.02.2017Расчет цепей управления силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором. Обеспечение оптимальных значений времени переключения с целью снижения коммутационных потерь и повышении надежности схем управления микропроцессорными устройствами.
статья, добавлен 20.02.2019Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Определение места пленочных нанофаз среди фаз, стабилизированных подложкой. Возможные применения пленочных нанофаз в кремниевых наносхемах, в безрезистной нанолитографии, в кремниевой нанофотонике и наноспинтронике. Условия образования пленочных нанофаз.
статья, добавлен 13.11.2018Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
контрольная работа, добавлен 11.12.2014- 100. Строение микросхем
Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013