Основные вопросы наноэлектроники

Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.

Подобные документы

  • Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.

    книга, добавлен 19.03.2015

  • Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.

    реферат, добавлен 22.02.2015

  • Анализ исходных данных технологического задания и элементной базы, описание работы, расчет конструктивных показателей. Технологическая характеристика элементной базы и монтажного основания. Проектирование технологического процесса и выбор оборудования.

    курсовая работа, добавлен 29.08.2010

  • Характеристика транзистора как электронного прибора. Примеры транзисторных схем. Использование эмиттерных повторителей в качестве стабилизаторов напряжения, смещение в эмиттерном повторителе. Схема расщепления фазы с единичным коэффициентом усиления.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.

    контрольная работа, добавлен 09.06.2016

  • Выбор принципа конструирования. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений. Технологический процесс изготовления платы комбинированным позитивным методом, гальваническая металлизация. Анализ технологичности конструкции изделия.

    курсовая работа, добавлен 28.10.2011

  • Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.

    реферат, добавлен 11.01.2012

  • Прием, обработка и хранение информации с помощью электрических зарядов. Изобретение триода. Развитие фотолитографии и диффузионной технологии изготовления транзисторов. Развитие электроники. Появление электронных арифмометров и вычислительных машин.

    лекция, добавлен 13.09.2017

  • Общая характеристика мультиплексора СМК-30: анализ конструкции, основные способы и методы локальной настройки. Знакомство с особенностями схемы расположения модулей мультиплексора. Рассмотрение функций графического интерфейса программы АРМ ЦСПД.

    отчет по практике, добавлен 17.02.2019

  • Анализ технологичности конструкции и предложения по ее усовершенствованию. Технологичность конструкции электронных, радиотехнических, электромеханических и коммутационных устройств. Варианты маршрутной технологии, выбор технологического оборудования.

    курсовая работа, добавлен 21.06.2010

  • Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.

    курс лекций, добавлен 23.03.2015

  • Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Устройство и принципы работы приборов наноэлектроники: транзисторов на резонансном туннелировании и эффекте кулоновской блокады, цифровых переключающих приборов на атомных и молекулярных шнурах. Усовершенствование традиционной элементной базы электроники.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.

    реферат, добавлен 08.06.2021

  • Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.

    реферат, добавлен 04.05.2014

  • Проектирование технологического процесса. Анализ технологичности конструкции изделия. Обоснования способов технологического оснащения. Построение, расчет схемы модели "жесткий вывод – отверстие печатной платы". Моделирование системы управления.

    дипломная работа, добавлен 25.08.2010

  • Сущность процесса термостабилизации – работы тех или иных технических средств, способствующих повышению стабильности (устойчивости) режима работы транзисторов при изменении температуры. Термостабилизация работы транзистора. Расчет усилителя частоты.

    курсовая работа, добавлен 27.12.2011

  • Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.

    лекция, добавлен 23.09.2016

  • Рассмотрение эквивалентной схемы полевого транзистора. Общая характеристика основных принципов проектирования многоканальных СВЧ переключателей с полупроводниковыми элементами. Знакомство с частотными характеристиками двухканального переключателя.

    автореферат, добавлен 30.10.2018

  • Гибкие производственные системы механообрабатывающего производства. Особенности технологического процесса изготовления, технические характеристики ГПМ изготовления корпусных деталей. Технические характеристики изготовления деталей типа "тела вращения".

    контрольная работа, добавлен 23.05.2010

  • Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2009

  • Описание технологии изготовления платы управления станком. Выбор двигателя и энергетический расчёт. Построение модулей драйвера и управления, а также разработка управляющих программ. Анализ особенностей конструкции платы управления мехатронной системой.

    дипломная работа, добавлен 01.10.2017

  • Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.