Туннелирование в микроэлектронике
Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
Подобные документы
Получена формула для термодинамического потенциала "грязного" сверхпроводника, выражающая его через квазиклассические функции Грина теории Узаделя. Проведено описание динамических процессов и флуктуаций в устройствах сверхпроводниковой наноэлектроники.
статья, добавлен 03.11.2018- 77. Радіовимірювальні прилади на основі ємнісного ефекту в транзисторних структурах з від’ємним опором
Радіовимірювальні прилади, вимоги до них з позиції сучасних напрямів розвитку радіоелектроніки. Розробка нелінійних математичних моделей генераторів прямокутних імпульсів і лінійно змінної напруги на польовій та біполярній транзисторних структурах.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Краткая история, источники и характеристики микроволнового излучения. Свойства и применение диэлектрических материалов. Особенности распространение электромагнитных волн. Использование принципа Гюйгенса-Кирхгофа при расчете СВЧ устройства лучевого типа.
аттестационная работа, добавлен 30.08.2016Сенсоры и датчики в умных часах, принцип их работы. Конструкция простейшего акселерометра. Основное свойство механического гироскопа, его использование в мобильных устройствах и игровых приставках. Датчики сердечного ритма и электропроводимости кожи.
курсовая работа, добавлен 13.12.2015Описание устройств синхронизации генераторов псевдослучайных последовательностей на основе временного дискриминатора. Анализ свойств псевдослучайных последовательностей Баркера и их использования в устройствах кадровой синхронизации передачи сообщений.
статья, добавлен 13.02.2016Математична модель явища міжтипового зв'язку власних електромагнітних коливань у відкритих електродинамічних структурах. Методи спектральної теорії скінченномероморфних оператор-функцій для доведення дискретності і скінченної кратності спектру частот.
автореферат, добавлен 18.04.2014Помехоустойчивые коды Рида-Соломона, их широкое использование в устройствах передачи и хранения данных для обнаружения и исправления различных ошибок. Разработка системы кодирования и декодирования на основе кодека кода Рида-Маллера и кода Рида-Соломона.
курсовая работа, добавлен 10.05.2016Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Разработка функциональной схемы устройства. Функциональная схема универсального расширителя импульсов. Разработка и описание принципиальной схемы устройства. Рассмотрение форм импульсов, используемых в импульсных устройствах различного назначения.
курсовая работа, добавлен 11.11.2017Общая характеристика спутниковой связи как вида космической радиосвязи. Описание разновидностей спутниковых ретрансляторов и другой аппаратуры связи. Описание технологии осуществления спутниковой связи. Характеристика принципа действия эффекта Доплера.
презентация, добавлен 29.06.2017Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Анализ прохождения периодической последовательности импульсов через электрические фильтры с реальными элементами. Разложение исходной функции в ряд Фурье. Расчет номинальных величин элементов фильтра. Входное сопротивление нагруженного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 03.05.2014Сущность элементов микросистемной техники как устройств с интегрированными в объеме или на поверхности твердого тела электрическими структурами. Технологические операции, используемые в микроэлектронике: окисление, фотолитография, травление, легирование.
лекция, добавлен 26.10.2013Понятие криоэлектроники, которая изучает особенности поведения радиоэлектронных компонентов и материалов при очень низких температурах. Перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
реферат, добавлен 29.09.2012Природа пьезоэффекта и пьезоэлементов. Сравнительная характеристика, классификация и группировка пьезодатчиков, область их применения. Использование тензодатчиков для преобразования поступающих сигналов, их виды. Типы регулировок выходящих сигналов.
курсовая работа, добавлен 03.02.2010Рассмотрение основных реализаций нанофотонных устройств, основанных на локализованных плазмонах. Эффекты с участием локализованных плазмонов и их использование в фотонных метаматериалах, нанолазерах, оптических наноантеннах, датчиках и сенсорах.
статья, добавлен 17.02.2019Применение релейно-контактных схем в автоматических устройствах. Описание схемы движения лифта сначала обычным способом (как принято в инструкциях). Разработка математического описания перемещения кабины пассажирского лифта в виде логической функции.
статья, добавлен 30.07.2017Спектры тригонометрического, комплексного ряда Фурье. Расчет корреляционной функции для периодического сигнала. Поиск выражения фазовой модуляции. Анализ прохождения сигнала через апериодический усилитель. Анализ случайного процесса (плотности колебания).
контрольная работа, добавлен 18.12.2014Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014- 96. Цифрові радіотехнічні пристрої на базі високотемпературної надпровідності та переходів Джозефсона
Схеми логічних елементів "І", "АБО", "НІ" з використанням високотемпературної надпровідності та переходів Джозефсон. Розрахунок часу згасання джозефсонівского струму і величини енергії, що потрібна для переходу елементу із стану логічного нуля до одиниці.
статья, добавлен 29.01.2016 Способы реализации автоматизированной сборки в микроэлектронике, технические принципы пайки оплавлением дозированного припоя инфракрасным нагревом. Особенности сборки и монтажа высококачественной ячейки приемо-передающего блока станций спутниковой связи.
курсовая работа, добавлен 04.02.2011Классификация, параметры и характеристики ЛЭ, требования к ним. Способы представления логических переменных электрическими сигналами. Области изменения входных и выходных сигналов ЛЭ. Определение помехоустойчивости ЛЭ по его передаточной характеристике.
презентация, добавлен 05.01.2014Анализ принципов построения аналогово-цифровых преобразователей, их типы, классификация, характеристика, применение в системах управления, контроля и цифровой обработки сигналов. Проектирование основных блоков сигма-дельта модулятора на КМОП-структурах.
дипломная работа, добавлен 04.03.2016Особенности распространения электромагнитных волн в ионосфере. Результаты статистического моделирования прохождения сверхширокополосных сигналов через ионосферу и характеристика основных показателей возникающих искажений. Анализ результатов моделирования.
статья, добавлен 28.10.2018