Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
Подобные документы
Встановлення ролі внутрішнього джерела флуктуацій у процесах упорядкування, фазового розшарування та структуроутворення в реакційно-дифузних стохастичних системах бінарного типу. Аналіз формування стаціонарних нуклеативних структур з внутрішнім шумом.
автореферат, добавлен 25.08.2015Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження властивостей наноструктурованих металізованих напівпровідникових підкладок для спектроскопії поверхнево підсиленого комбінаційного розсіювання світла. Морфологічні параметри срібних острівцевих плівок, сформованих на кремнієвій основі.
автореферат, добавлен 29.07.2015Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2012Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Механізми впливу мікрорельєфу поверхні напівпровідників на внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник в області зона-зонної фотогенерації носіїв струму, за умов внутрішньої фотоемісії в контакті, при збудженні поверхневих плазмових поляритонів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Изучение электронного конструктора "Знаток" и внедрение его в лабораторную работу. ВАХ (вольт-амперные характеристики) светодиодов, вольт-амперные характеристики по измеренным значениям I и U, расчет сопротивления резистора, гальванического элемента.
статья, добавлен 20.04.2019Розробка широкосмугових, перебудовуваних, радіаційностійких ІЧ фотоприймачів та оптичних елементів на кристалах і плівках твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами двох- та трьохвалентних металів. Методи підготовки поверхні монокристалічних підкладок.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012