Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
Подобные документы
Исследование методологии курса физики, современного естествознания; эффективных практических методов освоения отдельных тем на примере разработки лабораторной работы по теме "Вольт-амперные характеристики светодиодов" с помощью конструктора "Знаток".
статья, добавлен 20.04.2019Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Принцип дії, основні параметри ФЕП та методика їх вимірювання за навантажувальної характеристики. Виготовлення сонячного елементу. Імітатори сонячного випромінювання. Розгляд вольт-амперної характеристики. Відкриття явища внутрішнього фотоефекту.
курсовая работа, добавлен 14.05.2013Дослідження самостійного і несамостійного газових розрядів. Проведення експерименту із вивчення провідності газів. Проходження електричного струму через повітря. Особливість механізму ударної йонізації. Вольт-амперна характеристика газового розряду.
разработка урока, добавлен 09.10.2021Напрямлений (упорядкований) рух частинок, які мають електричний заряд. Утворення в газі позитивних і негативних йонів та вільних електронів із нейтральних молекул і атомів. Несамостійний газовий розряд. Вольт-амперна характеристика газового розряду.
презентация, добавлен 11.10.2021Аналіз вивчення класичної електронної теорії металевої провідності. Головна сутність швидкості розповсюдження електричного струму в провідниках. Особливість використання надпровідності металів. Вольт-амперна характеристика хімічних елементів і речовин.
контрольная работа, добавлен 31.10.2016Поняття електричної дуги як тривалий розряд електричного струму між двома електродами в іонізованій суміші газів. Характеристика основних видів зварювальної дуги. Класифікація дугових проміжків, завдання іонізації. Вольт-амперна характеристика дуги.
реферат, добавлен 01.07.2013Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Енергетична залежність пружнього та непружнього розсіяння ядер 7Li + 10B. Процеси переорієнтації ядер в основних і збуджених станах. Значення параметрів потенціалу взаємодії ядер в різних становищах, їх енергетична залежність, параметри деформації.
статья, добавлен 08.10.2013- 62. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 - 63. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.
презентация, добавлен 13.12.2021Исследование вольт-амперной характеристики с помощью промышленного характериографа TR-4805, формирующего синусоидальный сигнал. Значение напряжений отсечки для исследуемых диодных структур. Особенность формирования двух разно полярных импульсов.
статья, добавлен 02.02.2019Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015Модель тіла як об’єкта захисту в електричних мережах. Параметри спектральних та вольтамперних характеристик. Процес взаємодії людини з електроустановками в нормальному та аварійному режимах роботи. Рекомендації Міжнародної електротехнічної комісії.
автореферат, добавлен 30.07.2014Класифікація речовин за здатністю проводити електричний струм. Виникнення надпровідності у металах при охолодженні. Визначення основних відмінностей напівпровідників від провідників. Матеріали та речовини-діелектрики. Керування електропровідністю.
презентация, добавлен 30.10.2019Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Генерація акустичних коливань при взаємодії сильнострумового пучка релятивістських електронів із твердотільними мішенями. Підсилення коливань за рахунок параметричного ефекту в магнітній рідині. Вплив геометричних та енергетичних параметрів пучка.
автореферат, добавлен 28.08.2014Експериментальні дані пружного розсіяння ядер 12С + 16O. Дослідження індивідуальних особливостей структури поверхонь взаємодіючих стабільних і нестабільних ядер у параметрах оптичних потенціалів. Оптична модель та метод зв’язаних каналів реакцій.
статья, добавлен 24.09.2013