Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників
Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
Подобные документы
Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".
автореферат, добавлен 28.10.2015Результати експериментального визначення перерізів ядерних реакцій при енергії нейтронів 14,53 МеВ. Порядок вимірювання нейтронно-активаційним методом. Зразки з природного германію опромінювання DT-нейтронами. Апаратурні спектри гамма-випромінювання.
статья, добавлен 11.11.2013Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013Опис основних характеристик атомних ядер та їх будови. Характеристика ядерних сил і їх природи, законів радіоактивного розпаду, закономірностей альфа- і бета–розпаду, а також порогу і механізмів ядерних реакцій. Основи використання ядерної енергії.
курсовая работа, добавлен 09.07.2017Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Розрахунок перерізів ядерних реакцій та ізомерних відношень продуктів реакцій із залишковими ядрами у основних та ізомерних станах. Характеристика результатів дослідження фотоядерних реакцій в області енергій гігантського дипольного резонансу на ядрах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розробка пристроїв для реалізації схеми двокристального спектрометру. Оцінка структурних змін і параметрів можливих дефектів в імплантованих фосфором приповерхневих шарах пористого кремнію. Дослідження будови поверхні методом атомно-силової мікроскопії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Визначення температурної залежності коефіцієнту дифузії вакансії і з’ясування характеру вакансійного руху в ОЦК фазі кристалів 3Не. Явища квантової дифузії, характерний для широкозонних квазічасток. Залежність ширини зони від щільності твердого гелію.
автореферат, добавлен 15.11.2013Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Експериментальні дані диференціальних перерізів реакції при енергії Елаб.(10B)=51МеВ для основних і збуджених станів 8Bе. Аналіз за методом зв’язаних каналів реакцій. Визначення параметрів потенціалу взаємодії ядер. Дослідження їх енергетичної залежності.
статья, добавлен 07.10.2013Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розробка одновимірної стаціонарної моделі гідродинамічних і фізико-хімічних процесів у висхідному висококонцентрованому двофазовому потоці в надшаровому просторі реактора. Визначення рівняння переносу кінетичної енергії пульсаційного руху частинок.
автореферат, добавлен 15.07.2014Встановлення закономірностей формування структури поверхневих шарів алюмінію технічної чистоти та сплавів системи Al-Si в умовах нерівноважної кристалізації, які досягалися при імпульсній лазерній обробці. Формування дисперсної квазіевтектичної структури.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження механізмів антифрикційності бабітового покриття та особливостей тонкоплівкої будови його поверхневих шарів, наближених до експлуатаційних для підшипників ковзання газоперекачувального агрегату. Особливості будови поверхневих субмікрозерен.
статья, добавлен 29.01.2016З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Аналіз проблеми впливу переопромінення на формування незворотних змін у лазерно-опромінених матеріалах, як однієї з найважливіших проблем релаксаційної оптики. Виявлено відмінність ефектів перепереопромінення від ефектів радіаційно-стимульованої дифузії.
статья, добавлен 07.12.2016Розробка методу визначення залежностей коефіцієнта вертикальної дифузії і швидкості дисипації енергії від локальної стратифікації. Дослідження фізичного механізму стабілізації фронтальної зони дрібномасштабної стічної лінзи на припливному шельфі.
автореферат, добавлен 07.08.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження класичної та умовної симетрій системи нелінійних рівнянь реакції-дифузії. Методика пошуку точного визначення рівнянь Колмогорова–Петровського–Піскунова та Фішера, які мають широке застосування в різноманітних моделях теплопровідності.
автореферат, добавлен 25.08.2014Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014