Зарядовые характеристики гетероструктур и приборов с зарядовой связью на их основе
Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
Подобные документы
Общая характеристика физических приборов: простых измерительных (мензурка, динамометр, секундомер, ареометр, линейка, термометр, рулетка), увеличительных (лупа, микроскоп, телескоп), приборов для измерения давления (барометр и манометр) и массы (весы).
презентация, добавлен 04.08.2014Розробка та аналіз методів дослідження акустичних властивостей металів, магнітних діелектриків і напівпровідникових гетероструктур. Характеристика особливостей явищ конверсії електромагнітних і пружних полів, а також акустичних ефектів у вольфрамі.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження електрофізичних властивостей структур на основі поруватого кремнію і паладію при сорбції, накопиченні та виділенні водню з точки зору їх застосування як сенсорів і твердотільних джерел Н2. Оцінка інтенсивності виділення та виходу водню.
автореферат, добавлен 30.07.2015Определение назначения и изучение общих характеристик электроизмерительных приборов как класса устройств, применяемых для измерения различных электрических величин. Изучение устройств магнитоэлектрических, электромагнитных и электродинамических приборов.
курсовая работа, добавлен 26.09.2012Метод непосредственной оценки при измерении тока. Магнитоэлектрические и электромагнитные приборы. Рассмотрение действия измерительного трансформатора тока. Автоматизация процессов измерения, повышение быстродействия и надежности измерительных приборов.
реферат, добавлен 20.02.2014Основные свойства магнитного поля. Изучение физической сущности явления электромагнитной индукции. Исследование явления самоиндукции, сравнение на его основе индуктивности двух катушек. Определение роли катушек индуктивности в работе авиационных приборов.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2022Рассмотрение общих элементов и структурной схемы электромеханических приборов. Применение воздушных, магнитоиндукционных и жидкостных успокоителей в электромеханических приборах. Принцип действия основных типов электромеханических измерительных приборов.
реферат, добавлен 16.04.2015Обзор методов определения места повреждения. Теоретические основы определения места короткого замыкания по параметрам аварийного режима. Системы для определения места замыкания на основе микропроцессорных приборов. Автоматические локационные искатели.
статья, добавлен 31.01.2019Основные характеристики сегнетоэлектриков с точки зрения динамики решетки. Факторы, влияющие на динамику в гетероструктурах на основе наноразмерных пленок. Оценка влияния толщины пленок на параметры элементарной ячейки. Принципы переключения поляризации.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Разработка математической модели для расчета эффективной теплопроводности полимерной композиции. Исследование влияния модифицирующих факторов на теплофизические свойства и структуру пентапласта и полимерных композиционных материалов на его основе.
автореферат, добавлен 28.03.2018Изучение конструкции, принципа действия основных типов электромеханических измерительных приборов и методики измерения с помощью этих приборов. Устройства для создания противодействующего момента. Устройства для уравновешивания подвижной части. Логометры.
лабораторная работа, добавлен 03.05.2017Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014- 63. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Рассмотрение понятия давления. Классификация приборов для его измерения. Изучение принципа действия и устройства баровакуумметра, манометров с трубчатой пружиной, с пластинчатой и коробчатой пружинами. Описание приборов для измерений разницы давлений.
реферат, добавлен 18.05.2016- 66. Меры и приборы
Виды мер, основные измерительные и оптико-механические приборы. Понятие микрометра и калибра как универсальных физических инструментов (приборов). Инструменты для контроля прямолинейности и плоскостности. Средства измерения шероховатости поверхности.
реферат, добавлен 15.03.2017 Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Изучение классификации приборов для измерения давления и разрежения по типу чувствительного элемента. Анализ устройства, принципа действия и областей применения приборов с упругими пружинными чувствительными элементами: манометра, вакуумметра, тягомера.
реферат, добавлен 09.02.2012Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вивчення кристалічної та магнітної мікроструктури об’ємних і приповерхневих шарів епітаксійних гетероструктур ЗІҐ/ҐҐҐ. Визначення максимальної концентрації густини дислокацій невідповідності. Аналіз діаграм результуючого вектора магнітного моменту.
автореферат, добавлен 28.09.2014Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.
контрольная работа, добавлен 11.09.2013Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 74. Температурная зависимость двухмагнонных возбуждений в пленках феррита висмута легированного неодимом
Анализ итогов проведения высокотемпературных исследований спектров комбинационного рассеяния света эпитаксиальных гетероструктур феррита висмута, допированного неодимом, описание результатов по высокочастотной области спектра и интенсивности рассеяния.
статья, добавлен 29.06.2017 Прогнозирование потерь в электрических сетях, анализ структуры потерь и расчет их технико-экономической эффективности, планирование потерь и мероприятий по их снижению. Определение погрешностей измерительных приборов на основе проверки их параметров.
диссертация, добавлен 23.05.2018