Зарядовые характеристики гетероструктур и приборов с зарядовой связью на их основе
Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
Подобные документы
Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.
статья, добавлен 20.09.2018Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Виды фоточувствительных материалов, используемых в оптических приборах. Изучение устройства человеческого глаза. Многоэлементные фотоприемные устройства на основе приборов с зарядовой связью. Дефлекторы с изменяющимся во времени показателем преломления.
учебное пособие, добавлен 06.08.2015Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Исследование зарядовых и частотных свойств гетероструктур. Разработка сложных систем с применением ЭВМ. Иерархическая структура и состав низовых функционально завершенных звеньев. Декомпозиция структуры ранее разработанных систем до низовых звеньев.
реферат, добавлен 01.08.2009Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Изучение общих принципов устройства и работы цифровых приёмников излучения на примере цифровой камеры CANON 1000D. Основы устройства приборов с зарядовой связью. Общие принципы фотометрического определения температуры. Цветовые характеристики камер.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2014Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Условия синтеза и механизмы зарядовой компенсации замещенного железо-иттриевого граната (ЖИГ). Изучение влияния на структурные параметры и электромагнитные свойства ЖИГ концентрации двухвалентной примеси, размера частиц и зерен в субмикронном диапазоне.
автореферат, добавлен 01.05.2018Электростатические приборы, их разновидности, устройство, преимущества и недостатки. Принцип действия приборов с изменяющейся площадью пластин и приборов с изменяющимся расстоянием между пластинами. Область применения электростатических приборов.
реферат, добавлен 06.12.2015Характеристика, использование ферритовых материалов и основные методы изготовления ферритометаллических узлов для электровакуумных приборов. Исследование зависимости прочностных свойств ферритов от их размеров на основе статистической модели Вейбулла.
автореферат, добавлен 14.04.2018Разработка технологии изготовления гибридных гетероструктур с прослойкой магнитоактивного материала из манганитов на основе эпитаксиальных сверхпроводящих металлоксидных пленок. Исследование многоэлементных джозефсононовских структур на постоянном токе.
автореферат, добавлен 29.10.2018Изучение возможности детектирования теневых изображений объектов в рентгеновском диапазоне длин волн. Оценка контраста и изменения чувствительности электронного фотоприемника в зависимости от интенсивности рентгеновского излучения и времени ее накопления.
статья, добавлен 21.05.2017Анализ экономического обоснования выбора осветительных приборов на основе "стоимости жизненного цикла" в зависимости от времени работы освещения в год для государственных и муниципальных учреждений. Описание расчета для ретрофитных и линейных устройств.
статья, добавлен 28.07.2017Понятие и принципы построения виртуальных приборов. Состав виртуальных приборов, примеры реализации визуальных приборов в электрических измерениях. Виртуальный осциллограф, его использование. Преимущества и недостатки виртуальных измерительных приборов.
реферат, добавлен 11.12.2019Двухкомпонентная кубическая модель и модель на основе куба-генератора простейшей гексагональной кристаллической решетки. Описан численный метод построения матричной модели кристаллической решетки гексагонального алмаза на основе куба-генератора.
статья, добавлен 17.10.2021Пленки фторопластата-4 с односторонней металлизацией алюминием. Исследование влияния технологических факторов на получение и характеристики электретов. Методы изотермического осаждения зарядов. Электризация с использованием жидкостного контакта.
дипломная работа, добавлен 09.06.2014