Полевые транзисторы
Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
Подобные документы
Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Расчет предварительного каскада усиления мощности и гармонических составляющих выходного тока. Расчет стабилизированного источника питания. Выбор транзисторов, стабилитрона напряжения, выпрямителя и трансформаторного каскада предварительного усиления.
курсовая работа, добавлен 20.12.2016Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Электромеханические системы для построения электромагнитных реле: с втягивающим, поворотным и поперечным движением якоря. Схемы подключения реле прямого и косвенного действия. Полупроводниковые реле с использованием диодов, транзисторов, тиристоров.
реферат, добавлен 04.04.2018Структура, основные параметры и принципы работы фотоприемника. Изображение принципиальной схемы включения семисегментного полупроводникового индикатора. Входной двоичный код и состояние выходов дешифратора. Расчет длины волны и силы света светодиода.
контрольная работа, добавлен 06.11.2014Определение коммутационных процессов в инверторе напряжения при значительном индуктивном рассогласовании и в околорезонансном режиме. Способы определения оптимального тока коммутации силовых транзисторов. Расчетная схема мостового инвертора напряжения.
реферат, добавлен 27.09.2012Разработка структурной схемы источника питания, расчёт параметрического стабилизатора напряжения. Специфика структурной схемы усилительного каскада, схема двухполупериодного выпрямителя. Комплементарная пара транзисторов, характеристики микросхемы.
курсовая работа, добавлен 22.02.2019Синтез свойств углеродных нанотрубок. Изучение капиллярных явлений. Анализ удельного электрического сопротивления полупроводникового материала. Суть полевой эмиссии и экранирования электронов. Изготовление светодиодов на основе органических материалов.
контрольная работа, добавлен 24.04.2017Сущность генератора пилообразного напряжения и тока, его основные свойства и функции. Построение общей эквивалентной схемы прибора. Принцип действия транзисторов. Расчет тока разряда конденсатора. Выбор элементов генератора пилообразного напряжения.
курсовая работа, добавлен 04.06.2013Развитие техники радиопередающих устройств. Расчет структурной схемы, выбор транзисторов. Обоснование принципиальной электрической схемы. Расчет выходной колебательной системы и задающего генератора. Выбор источника вторичного питания, усилителя мощности.
курсовая работа, добавлен 29.04.2021Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Описание взрывной электронной эмиссии как эмиссии с поверхности металла при его переходе из твердой фазы в газообразную в результате локальных взрывов микроскопических областей эмиттера. Анализ роли взрывной эмиссии электронов в физических процессах.
презентация, добавлен 08.06.2015Сущность стабилитронов, принцип их действия и основные параметры. Вольтамперная характеристика стабилитрона. Принцип действия однотактного выпрямителя с помощью временных графиков напряжения. Схема реле времени. Расчет напряжения на коллекторе, его ток.
контрольная работа, добавлен 25.09.2011Определение мощности необходимых каскадов. Схема включения контроллера в качестве модулятора. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь ключа, коэффициента передачи усилителя. Защита от токов короткого замыкания, длительного пускового режима.
курсовая работа, добавлен 09.01.2018Понятие про вакуум и его свойства. Модель прибора вакуумной электроники, исследование электронной эмиссии. Электронно-лучевые приборы, движение электронов в газах. Основы зондовой микроскопии (туннельная микроскопия, зондовые сканирующие микроскопы).
контрольная работа, добавлен 26.01.2020Вычисление синфазной и дифференциальной составляющих. Изучение метода дифференциального каскада. Использование супер-вета транзисторов. Разработка операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Рассмотрение применения схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Понятие рабочей точки. Критерии выбора положения исходной рабочей точки. Нагрузочная характеристика усилительного каскада. Способы установки исходной рабочей точки. Обеспечение устойчивости рабочей точки при влиянии внешних дестабилизирующих факторов.
курсовая работа, добавлен 09.04.2015