Полевые транзисторы
Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
Подобные документы
Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Исследование эффекта эмиссии электронов при рентгеновском облучении с энергией кванта порядка 3 keV поверхности электретов. Определение характера корреляции между энергией и плотностью потока эмиссионных электронов из сегнетоэлектрической керамики.
статья, добавлен 30.05.2017Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Выбор схемы и расчет уставок элементов схемы автоматического повторного включения. Схема подключения реле повторного включения. Требования к системам автоматического включения резерва. Схема автоматического включения резерва секционного выключателя.
контрольная работа, добавлен 01.04.2016Изучение схемы и принципа действия приборов для измерения водородного показателя pH. Обзор видов электродов и областей их применения. Ознакомление с ионообменной теорией стеклянного электрода Б. Никольского и внутрижелудочной рН-метрией В. Чернобрового.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Динамика работы выпрямительного агрегата. Расчет схемы замещения, цепи нагрузки подстанции. Измерение, учет и контроль энергии. Защита от перенапряжений. Разработка преобразователя на основе полностью управляемых силовых ключах транзисторов IGBT.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Особенность эмиссии электронов в вакууме под действием сильного внешнего электрического поля. Определение прозрачности прямоугольного потенциального барьера. Характерные особенности радиусов закругленных вершин. Главный анализ прямой Фаулера-Нордгейма.
лабораторная работа, добавлен 16.10.2014Устройство рентгеновской трубки. Спектр, коротковолновая граница и нулевое распределение мощности тормозного рентгеновского излучения. Переход одного вида материи в другой и их структурные уровни, сущность реакции аннигиляции и рождения пары электронов.
контрольная работа, добавлен 22.03.2016Сущность полярографического и кулонометрического методов исследования: приборы и оборудование, достоинства и недостатки, среда использования. Схема полярографа системы Гейровского, принцип его действия. Проблема побочных реакций на электродах.
реферат, добавлен 19.12.2014Источники сигналов в приборах. Устройство и принципы действия генераторов сигналов. Приборы для измерения механических свойств материалов. Измерение фазовых характеристик сигналов в электрических цепях. Основные правила использования осциллографов.
методичка, добавлен 24.12.2015Общий принцип действия измерительного механизма. Уравнение преобразования электромеханического прибора. Приборы магнитоэлектрической системы: принцип действия и устройство, вывод уравнения шкалы. Достоинства магнитоэлектрических приборов, их назначение.
лекция, добавлен 03.04.2019Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Сборка усилителя на основе биполярных транзисторов. Подбор элементной базы, которая соответствует нагрузке, и при которой обеспечивается стабильная работа. Тестирование данного силового модуля под управлением МК Atmega16. Расчет транзисторного каскада.
статья, добавлен 26.06.2018Измерительные приборы для определения влажности воздуха. Разновидности гигрометров и принципы их действия. Кондуктометрический метод, основанный на измерении сопротивления между двумя иглами. Достоинства и недостатки диэлькометрического метода измерения.
доклад, добавлен 08.12.2013Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Расчет номинального значения напряжения питания стабилизатора, коэффициента сглаживания пульсаций. Определение мощностей, рассеиваемых резистором. Проверка работоспособности стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 15.05.2014Параметры источников стабильного тока в цепи обратной связи. Характеристики токового зеркала при разном диапазоне напряжения транзисторов. Принципы выбора заземления и устройств для аккумуляторных батарей. Схематизация печатных плат источников тока.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Характеристика внешнего фотоэффекта как процесса испускания электронов веществом под действием электромагнитного изучения. Особенности схемы возникновения фотоэффекта металла под действием падающих фотонов. Анализ схемы соединения обмоток трансформатора.
контрольная работа, добавлен 18.10.2021Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Принципиальная схема и принцип действия автономного инвертора напряжения резонансного типа. Расчет транзисторов, выбор дросселя и емкости, расчет понижающего трансформатора напряжения. Проведен анализ выбранных схемных решений по защите и управлению.
курсовая работа, добавлен 12.06.2018Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013