Интегральные схемы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
Подобные документы
Преобразование измеряемой температуры в электрическую величину - принцип работы температурных датчиков, использующихся в системах автоматического управления. Основные технические, эксплуатационные характеристики термопреобразователя Rosemount 3144Р.
контрольная работа, добавлен 25.09.2015- 77. Виды регистров
Хранение многоразрядных двоичных чисел в регистрах цифровых интегральных микросхем. Процесс преобразования параллельного кода. Рассмотрение особенностей функциональной схемы последовательного регистра. Двухступенчатый триггер и его основные элементы.
реферат, добавлен 10.06.2014 Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Электрические связи в матричных интегральных схемах. Разработка технологического маршрута изготовления базовых матричных кристаллов. Разработка эскизного ТП с использованием программы SSUPREM-3. Оптимизация блока формирования спейсеров, базы стабилитрона.
дипломная работа, добавлен 09.01.2011Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015История развития интегральных схем. Назначение, принцип работы, параметры, ведущие производители ПЛИС. Влияние развития ПЛИС на конструирование и технологию печатного узла. Разработка конструкции, удовлетворяющей требованиям целостности сигнала и питания.
методичка, добавлен 22.01.2016Основные определения и классификация печатных плат (ПП), технологические требования и методы их изготовления. Характеристика конструкции ПП и анализ внешних воздействий на неё. Определение класса точности ПП. Расчёт элементов проводящего рисунка.
курсовая работа, добавлен 01.02.2013Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
контрольная работа, добавлен 11.12.2014Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 25.08.2013Проверка счётчика в режиме счёта с предварительной записью исходного числа. Описание работы счетчика, принцип работы суммирующего, вычитающего, реверсивного счётчика. Характеристика параллельного формирования сигнала переноса во всех разрядах счётчик.
лабораторная работа, добавлен 24.04.2017Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Принцип работы сумматора, шифратора и дешифратора. Характеристика и суть простейших конечных автоматов. Устройства памяти микропроцессорной системы. Программируемые логические интегральные схемы. Протокол JTAG и структура микропроцессорной системы.
курс лекций, добавлен 04.07.2015Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Анализ технических характеристик и состава элементной базы современных ЭВМ. Методы построения схемы генератора чисел. Выбор и описание принципа работы микросхем. Разработка принципиальной электрической схемы. Расчет быстродействия и потребляемой мощности.
методичка, добавлен 13.03.2021Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Описание принципа работы, технические характеристики конструкции контроллера САУО, обоснование выбора элементной базы, расчет надежности блока и конструкции на действие вибрации и удара. Технологические процессы сборки разъёма и проводника и платы.
дипломная работа, добавлен 18.12.2011