Интегральные схемы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
Подобные документы
Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013Разработка схемы управляющего устройства, принцип работы которого был определен алгоритмом функционирования. Разработка цифрового автомата, выбор микросхем по заданному базису, учет их, расчет мощности и исследование работы цифрового автомата на переходе.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Разработка структурной и принципиальной схемы блока, принцип ее работы. Упрощенный расчет транзистора для работы в ключевом режиме на резистивную нагрузку. Выбор электрорадиоэлементов (резисторы, конденсаторы, светодиоды, реле и др.) и их обоснование.
дипломная работа, добавлен 19.05.2015Принцип работы, основные характеристики и методики наладки транзисторных реле на интегральных микросхемах. Назначение и технические параметры устройства защиты от однофазных замыканий, дифференциальной защиты различных типов, промежуточных реле.
методичка, добавлен 30.10.2015Спектральный анализ периодических и непериодических сигналов. Преобразование непрерывных сигналов в дискретные. Энтропия сложных сообщений. Электронный ключ на биполярном транзисторе. Общие сведения о технологии изготовления интегральных микросхем.
курс лекций, добавлен 18.04.2014- 110. Полевые транзисторы
Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.
реферат, добавлен 01.05.2009 Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Методы задания начального режима работы транзистора. Описание схемы с коллекторной стабилизацией. Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Диаграммы работы транзисторного каскада при правильном выборе точки покоя и величины входного сигнала.
презентация, добавлен 28.09.2017Назначение и применение изделия, обзор его основных технических параметров. Анализ условий эксплуатации. Определение главных требований к электрическим параметрам и конструкции. Принцип работы устройства управления по схеме электрической, принципиальной.
контрольная работа, добавлен 22.06.2012Определение, область применения и основные принцип работы сервисного низкочастотного генератора. Описание работы структурной схемы. Обоснование выбора элементной базы. Описание конструкции и расчет надежности сервисного низкочастотного генератора.
реферат, добавлен 26.12.2011Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Общая характеристика разрабатываемого фильтра и основные технологические требования к нему. Порядок проектирования его схемы, внутреннее устройство и принцип работы. Определение передаточной функции. Расчет параметров элементов заданного фильтра.
контрольная работа, добавлен 16.11.2017Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017- 120. Реализация цифровых понижающих преобразователей на программируемых логических интегральных схемах
Программируемые логические интегральные схемы как одно из самых интересных и быстроразвивающихся направлений современной цифровой микроэлектроники. Анализ достижений мировых производителей данных устройств, их функциональные особенности и структура.
статья, добавлен 10.03.2018 Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015