Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур
Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
Подобные документы
Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Принцип действия лазеров и его внутреннее устройство, анализ когерентности излучения. Классификация и разновидности газовых лазеров, их функциональные особенности и сферы применения. Принцип работы, а также конструкция основных блоков деформографов.
диссертация, добавлен 23.05.2018- 79. Виды лазеров
Анализ истории создания квантовых генераторов. Описание принципа работы лазера. Характеристика условий когерентного излучения. Схема работы рубинового лазера. Описание газового, газодинамического, полупроводникового лазеров, а также сфер их применения.
презентация, добавлен 14.11.2016 Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016- 81. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Общая характеристика жидкостных лазеров, их функциональные особенности и сферы практического применения. Внутреннее устройство и принцип работы. Отличия неорганических жидкостных лазеров и лазеров на красителях. Способы их возбуждения (накачки).
контрольная работа, добавлен 06.04.2021Особенности лазерного излучения, лазерные технологии. Технология газовых лазеров. Краткий исторический обзор развития лазеров. Принцип работы, область применения и перспективы развития магнитно-оптических накопителей. Применение лазеров в военной технике.
реферат, добавлен 08.06.2015Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Описание измерительного комплекса для исследования наноструктур на базе рентгеновского рефлектометра. Спектр аналитических возможностей измерительного комплекса. Проведение рефлектометрического исследования многослойной периодической наноструктуры.
статья, добавлен 13.11.2018Спектрально-мощностные характеристики перестраиваемых диодных лазеров с двойной гетероструктурой и полосковой геометрией активной области, изготовленных на основе свинца. Способы управления ими при использовании импульсно-периодического режима генерации.
статья, добавлен 28.06.2013История изобретения лазера, физические основы его работы. Спонтанные и вынужденные переходы. Теория взаимодействия излучения с веществом. Методы создания инверсии населённости. Свойства лазерного излучения. Применение лазеров в медицине, науке и технике.
реферат, добавлен 27.09.2013Создание инверсной населенности в полупроводниках. Поток квантов излучения. Оптический переход с сохранением квазиимпульса. Лазеры на гетеропереходах. Спектр частот излучения. Пороговый ток, выходная мощность излучения и эффективность работы лазера.
реферат, добавлен 28.08.2013Расчет и моделирование источника вторичного питания. Схемы на основе операционных усилителей, элементная база для усилителя. Осциллограмма входного и выходного сигнала. Развитие микросхем техники, проектирование полупроводниковых усилительных устройств.
курсовая работа, добавлен 10.05.2016Исследование проблемы компенсации реактивной мощности. Недостатки традиционных способов компенсации, создание компенсаторов на основе полностью управляемых полупроводниковых преобразователей с использованием импульсной модуляции напряжений и токов.
статья, добавлен 30.11.2018Исследование возможных наноструктур Джозефсона, технологий их получения. Разработка технологии получения качественного и хорошо воспроизводимого в промышленности перехода Джозефсона. Анализ существующих технологий получения наноструктур Джозефсона.
статья, добавлен 01.02.2019Обоснование необходимости, значение поиска и исследования новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. Место двойных, тройных и более сложных халькогенидов среди обширного класса соединений с участием редкоземельных материалов.
статья, добавлен 22.02.2023- 93. Оптико-электронное устройство формирования плоского многоцветного светового растра больших размеров
Описание оптико-электронного устройства, включающего в себя два полупроводниковых лазера, коллимирующих и отражающих оптику. Проведение исследования сканеров, осуществляющих сканирование лазерного луча и позволяющих получить плоский световой растр.
статья, добавлен 27.02.2018 - 94. Газовые лазеры
Создание прибора оптического квантового генератора. Источник монохроматического когерентного света с высокой направленностью светового луча. Уникальные свойства лазерного излучения. Лазерные технологические процессы. Особенности газовых лазеров.
реферат, добавлен 28.02.2011 Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Лазеры как наиболее распространенные и перспективные квантовые приборы, анализ параметров излучения. Рассмотрение основных особенностей временной и пространственной когерентности. Общая характеристика идеализированной схемы лазерного автогенератора.
курсовая работа, добавлен 24.08.2015Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.
методичка, добавлен 30.03.2016Понятие "нанотехнология". Основные объекты исследования нанотехнологий. Основные типы наноструктуры. Инструменты для работы с объектами столь малых размеров. История исследования, классификация и применение наноструктур. Наноструктуры как искусство.
реферат, добавлен 02.03.2020Краткое ознакомление с активными и пассивными элементами, изменяющими электрические сигналы в цепях. Определение независимых источников тока. Характеристики полупроводниковых приборов, использующихся в промышленности. Диодная структура тиристоров.
реферат, добавлен 01.06.2015Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009