Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур
Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
Подобные документы
Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014- 102. Цветные металлы
Рассмотрение классификации цветных металлов. Определение особенностей их применения и технологии обработки. Приведение основных сплавов алюминия, а так же их свойств, различных магнитных, полупроводниковых и проводниковых материалов из цветных металлов.
реферат, добавлен 05.05.2016 Синтез лазерного стеклокристаллического материала с нанокристаллами оксида цинка, легированного ионами двухвалентного кобальта для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров. Исследование его структурных, спектроскопических и оптических свойств.
статья, добавлен 07.12.2018Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
реферат, добавлен 16.10.2014Снижение расходов полупроводниковых дорогостоящих материалов в солнечных элементах. Концентрирование солнечного излучения. Создание концентраторных батарей с плоскими фоклинами с улучшенными удельными фотоэлектрическими и оптическими параметрами.
статья, добавлен 19.06.2018Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017- 107. Основы радиохимии
Ознакомление с примером альфа-распада сверхтяжелого ядра сиборгия. Рассмотрение особенностей классификации нейтронов по энергиям. Характеристика принципа действия полупроводниковых детекторов. Анализ особенностей радиохимических методик концентрирования.
контрольная работа, добавлен 18.05.2016 Процесс ступенчатой ионизации с верхних лазерных уровней и его влияния на формирование инверсной населенности. Механизм влияния предымпульсных параметров плазмы на энергетические характеристики лазеров. Ограничение частоты следования импульсов генерации.
автореферат, добавлен 15.02.2018Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.
презентация, добавлен 29.08.2015Элементы линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Способы соединения фаз в трехфазных системах. Принцип действия и виды трансформаторов, полупроводниковых приборов, аппаратуры управления и защиты. Устройство синхронной машины.
учебное пособие, добавлен 21.05.2013Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 11.03.2014Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Разработка комплекса методических и аппаратных средств, направленных на создание эллипсометрического контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе теллуридов кадмия и ртути. Оптические постоянные пленок КРТ.
автореферат, добавлен 15.02.2018Спонтанное и индуцированное излучение. Устройство оптического квантового генератора. Основные направления использования лазера в медицине. Электронный парамагнитный резонанс. ЯМР-интроскопия. Расщепление энергетических уровней атомов в магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 28.04.2013Рассмотрение принципов использования лазера в качестве идеального точечного источника света с узким коллимированным (нерасходящимся) лучом света. Изучение основных видов лазеров. Характеристика основных направлений использования лазеров в медицине.
реферат, добавлен 07.12.2022Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Сведения о технологических лазерах и параметрах лазерного излучения. Критерии выбора технологических лазеров для реализации теплового воздействия лазерного излучения. Физическая модель лазерной обработки – феноменологический подход, уравнения теплофизики.
лекция, добавлен 02.05.2014Принцип работы лазерного устройства, генерирующего электромагнитное излучение. Диапазон длины волн. Основные компоненты лазера, схема его строения. Режимы процесса генерации. Характеристика лазеров различных типов. Особенности применения лазеров.
реферат, добавлен 18.02.2014Этапы развития лазеров. Уникальные свойства лазерного излучения. Применение маломощных импульсных лазеров и мощной лазерной технологии. Особенности газовых лазеров. Принципы работы магнитно-оптического накопителя. Лазерная локация и системы навигации.
реферат, добавлен 12.07.2009Обоснование эффективности использования в качестве сенсоров при детектировании 3,4-бензпирена, так называемых нанофотонных устройств на базе полупроводниковых наноразмерных материалов – квантовых точек (КТ), выполняющих роль детекторных элементов сенсора.
статья, добавлен 19.06.2018- 124. Вычисление диэлектрических потерь. Понятие и свойства проводников. Расчет показателей намагничивания
Определение тока утечки, мощности потерь и удельных диэлектрических потерь при включении конденсатора на постоянное напряжение. Рассмотрение свойств проводниковых и полупроводниковых материалов. Построение основной кривой намагничивания материала.
контрольная работа, добавлен 26.03.2015 - 125. Лазеры на парах меди
Развитие лазеров на парах меди в России. Разработка и исследование первых промышленных отпаянных саморазогревных лазерных активных элементов на парах меди. Характеристика энергетических уровней. Двухканальный отпаянный лазер с высоким качеством излучения.
реферат, добавлен 09.04.2009