Использование тиристора и оптрона

Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.

Подобные документы

  • Расчет дискретного силового тиристора. Расчет параметров конструкции тиристора. Расчет диаметра тиристорного элемента и выбор конструкции корпуса. Расчет основных параметров тиристоров. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.

    курсовая работа, добавлен 29.09.2017

  • Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.

    практическая работа, добавлен 11.12.2010

  • Светодиод как полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток в световое излучение. Виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики. Понятие, виды, структура органических фотодиодов. Различие LED и OLED на примере телевизора.

    контрольная работа, добавлен 24.03.2015

  • Понятие и принцип работы аналоговых электроизмерительных приборов, их обобщённая структурная схема. Метрологические характеристики и параметры электроизмеритетельных приборов. Основные технические показатели средств измерения. Диапазон и предел измерений.

    реферат, добавлен 10.01.2013

  • Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.

    реферат, добавлен 26.01.2012

  • Сущность работы и назначение стабилизаторов. Параметры работы, их классификация и характеристика. Динамические параметры линейных стабилизаторов, их важнейшие эксплуатационные характеристики. Порядок типового включения стабилизаторов напряжения.

    реферат, добавлен 14.02.2009

  • Общие сведения о приборных досках, пультах и панелях управления авиационного оборудования. Приборная панель бортинженера. Аналоговые приборы на самолете "Л-39". Этапы развития бортового оборудования. Параметры управления двигателем в кабине, параметры.

    реферат, добавлен 23.12.2019

  • Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Понятие, сущность и значение активного оптрона. Характеристика оптоэлектронных преобразователей света и изображений. Логические элементы на основе оптронов, применение и перспективы. Создание твердотельного аналога электронно-оптического преобразователя.

    лекция, добавлен 17.08.2014

  • Определение, функции, свойства, основные принципы построения, работы и обозначения диодного моста, транзистора, тиристора. Особенности функционирования D-триггера, Т-триггера и RS-триггера. Условия протекания рабочего тока в полевом транзисторе.

    доклад, добавлен 17.09.2012

  • Принцип действия оптронов и их практическое распространение. Устройство оптрона, его отличительные особенности и недостатки. Классификация параметров изделий оптронной техники. Исследование зависимости формы импульса от частоты исходящего сигнала.

    курсовая работа, добавлен 25.09.2011

  • Определение, виды тиристоров, принцип действия, параметры. Применение тиристоров в регуляторах мощности: общие сведения о различных регуляторах, процесс управления напряжением, управляемый выпрямитель на тиристоре, практические разработки регуляторов.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2009

  • Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

    реферат, добавлен 24.04.2017

  • Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.

    учебное пособие, добавлен 07.08.2013

  • Виды и свойства сигналов, их параметры, позволяющие оценить степень пригодности для решения тех или иных задач. Частотно-временные характеристики и параметры сигнала. Нахождения спектра периодического сигнала с помощью ряда Фурье, его длительность.

    лекция, добавлен 21.08.2015

  • Классификация датчиков, применяемых в электронных измерительных приборах, их основные характеристики. Обобщение выполненного анализа существующих сенсорных технологий и характеристик сенсоров (датчиков). Задачи визуализации полученной информации.

    доклад, добавлен 02.07.2018

  • Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.

    методичка, добавлен 29.11.2012

  • Области использования радиопередающих устройств. Виды модуляции и возможности управления. Согласование электронного прибора с источником возбуждения и нагрузкой. Статические характеристики триода, его аппроксимация. Допустимые параметры транзистора.

    учебное пособие, добавлен 01.06.2017

  • Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.

    реферат, добавлен 22.03.2013

  • Создание индивидуального электронного звонка-сигнализатора. Диапазон допустимых напряжений питания устройства звукового оповещения. Схема электрическая принципиальная электронного звонка. Выбор звукового излучателя. Основные параметры конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 06.03.2015

  • Расчет параметров полупроводникового лазера. Определение дифференциального квантового выхода, ширины спектра излучения, скорости модуляции и потерь в волноводном световоде. Построение ватт-амперной характеристики. Виды дисперсии в волоконных световодах.

    контрольная работа, добавлен 15.12.2012

  • Изучение технологических процессов сборки, монтажа и регулировки радиоэлектронной аппаратуры. Проектирование устройства аналогово-цифрового реле времени. Описание принципа работы прибора, технические характеристики и параметры. Оценка точности устройства.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2011

  • Разработка технологии сборки для производства переговорного устройства. Описание принципа работы прибора, технические характеристики и параметры. Технологический анализ элементной базы и конструкторской схемы сборки. Оценка точности данного устройства.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.