Использование тиристора и оптрона
Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
Подобные документы
Характерные параметры света: цвет, длинна волны и частота. Полупроводниковый лазер, предназначенный для микроэлектроники. Модуляция интенсивности излучения, пропускная способность волоконных световодов. Преимущества и конструкции оптических кабелей.
курсовая работа, добавлен 08.12.2010Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости от значения приложенного напряжения. Авометр - измерительный прибор, применяющийся для проверки компонентов, входящих в состав печатных плат.
отчет по практике, добавлен 12.01.2020Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Повышение плотности информации в канале связи, его быстродействия и помехозащищенности - достоинства электронно-оптического направления микросхемотехники. Фоторезистор – полупроводниковый прибор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.
контрольная работа, добавлен 09.05.2016Расчет надежности автоматизированных систем управления. Разработка преобразователя, отвечающего техническим требованиям по надежности, на базе основного схемного решения тиристорного преобразователя. Выбор тиристора, понятие отказа преобразователя.
курсовая работа, добавлен 26.08.2017Методика определения расчетного значения тока фазы вторичной обмотки трансформатора. Характеристика предельных эксплуатационных параметров тиристора. Расчет индуктивности уравнительных реакторов. Анализ релейно-контакторной схемы защиты двигателя.
курсовая работа, добавлен 10.08.2015Оптроны - оптоэлектронные приборы, имеющие источник и приемник излучения, конструктивно связанные друг с другом. Отличительные особенности оптронов. Приминение оптронов для связи блоков аппаратуры, между которыми есть значительная разность потенциалов.
реферат, добавлен 18.05.2010Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Параметры микроклимата. Норма освещенности и расположения светильников. Роль осветительных и облучательных установок для сельскохозяйственных предприятий. Выбор системы освещения помещений. Питания осветительных приборов. Компоновка осветительной сети.
курсовая работа, добавлен 21.02.2009- 85. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Основные технические характеристики тонкомпенсированного регулятора громкости. Использование устройства для систем качественного усиления звука. Анализ комбинированной звуковоспроизводящей аппаратуры. Принцип действия и параметры фильтра стабилизатора.
доклад, добавлен 25.03.2015Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Назначение, принцип построения и параметры коммутационного блока АТСКУ. Определение типа и количества МКС, параметры коммутаторов, используемых для построения данного звена. Состав и взаимодействие функциональных узлов управляющего устройства АТСК.
контрольная работа, добавлен 22.08.2011Принцип работы и характеристики проходного ключа, зависимость его сопротивления от входного сигнала. Условие отпирания р-канального транзистора. Передача логических уровней транзисторами разных типов. Цифровые схемы с использованием проходных ключей.
лабораторная работа, добавлен 12.11.2011Устройство и принцип действия тиристора, представляющего собой четырехслойный кремниевый полупроводник с двумя р-n-переходами и одним n-р-переходом. Расчет естественной механической и скоростной характеристик асинхронного короткозамкнутого двигателя.
курсовая работа, добавлен 12.05.2017Электромеханические приборы как приборы, в которых происходит преобразование электрических величин в механическое воздействие на стрелку прибора, анализ особенностей конструкции. Знакомство с численными методами анализа и синтеза периодических сигналов.
контрольная работа, добавлен 28.10.2014Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Использование квантовой электроники в клинической медицине. Основные преимущества, стимулирующие применение лазеров. Структурная, функциональная схема и принцип действия медицинской установки "Импульс-1". Основные параметры и характеристики прибора.
реферат, добавлен 28.10.2010Состав базового микропроцессорного комплекта серии КР580, его основные параметры. Операции, задаваемые управляющими сигналами программируемого параллельного интерфейса. Основные электрические параметры микросхемы КР580ВВ55, ее графическое обозначение.
реферат, добавлен 26.10.2015Фильтры и их основные параметры. Нормирование исходных данных для расчета фильтров. Табличный метод расчета пассивных LC-фильтров. Типовые схемы фильтров и параметры их элементов. Расчет активных фильтров, построенных на операционных усилителях.
методичка, добавлен 02.04.2016Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Анализ синтеза моделей динамических объектов управления (устойчивых и не устойчивых), параметры и структура которых неизвестны. Пример модели прогноза состояния динамического объекта в виде "черного ящика", параметры которого недоступны для измерения.
статья, добавлен 29.09.2016Рассмотрен опыт разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 23.04.2014Резонатор, состоящий из акустоэлектрического преобразователя на основе пьезоэлектрической пленки оксида цинка и Брэгговского акустического отражателя на основе 5 пар слоев пленок молибдена и алюминия. Параметры элементов электрической схемы резонатора.
статья, добавлен 02.02.2019