Тепловой эффект в транзисторах

Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.

Подобные документы

  • Ознакомление с основной особенностью подкласса мультимарково-полигауссовых моделей. Анализ применения фильтра Калмана для предсказания параметров канала, описанных полигармонической моделью Джейкса. Характеристика влияния порядка марковского процесса.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Расчёт параметров, геометрических размеров, системы охлаждения и ресурса работы плазмотрона. Определение вольтамперных и тепловых характеристик. Технологическое применение плазмотрона. Расчёт зависимости напряжения на дуге от диаметра разрядного канала.

    курсовая работа, добавлен 29.08.2015

  • Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.

    реферат, добавлен 03.11.2016

  • Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.

    презентация, добавлен 18.04.2021

  • Исследование основных параметров дифференциальных усилителей. Качественные характеристики дифференциальных каскадов и преимущества использования полевых транзисторов. Методы снижения синфазных помех. Схемы подключения усилителей и их специальные виды.

    контрольная работа, добавлен 11.12.2010

  • Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.

    реферат, добавлен 12.11.2013

  • Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.

    лабораторная работа, добавлен 12.06.2020

  • Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.

    реферат, добавлен 25.01.2012

  • Требования к пускозащитной аппаратуре. Защитные характеристики тепловых реле. Требования к выбору защиты. Защита однофазных двигателей. Влияние окружающей температуры на защиту. Выбор и настройка реле регуляторов. Защита электродвигателей от перегрузок.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2014

  • Схема устройства контроля перепадов давлений и температуры. Виды теплопередачи для проектирования бортовой аппаратуры космических аппаратов. Составляющие автоматизированной системы компьютерного моделирования тепловых процессов в электронных блоках.

    дипломная работа, добавлен 02.09.2018

  • Разработка алгоритма технического задания на тепловое моделирование бортовых электронных систем для получения прогнозируемой точности работы при высокой тепловой нагрузке при внутреннем тепловыделении на электронные компоненты радиоэлектронных средств.

    дипломная работа, добавлен 13.07.2020

  • Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.

    реферат, добавлен 06.08.2010

  • Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.

    контрольная работа, добавлен 14.02.2015

  • Использование структур металл-диэлектрик-полупроводник - один из основных механизмов, позволяющих контролировать величину интегральной поглощенной дозы радиационного излучения. Выражение, которое применяется для определения суммы плотностей токов.

    статья, добавлен 27.11.2018

  • Создание формы передаточной функции ряда частотных полос. Хранение несжатого аудио в формате линейной импульсно-кодовой модуляции. Структура wav файла, расположение отсчетов в файле. Регулирование интенсивности эффектов эквалайзера, параметров эффектов.

    курсовая работа, добавлен 10.07.2017

  • Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).

    лабораторная работа, добавлен 04.12.2017

  • Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Суть алгоритма решения систем уравнений комплексной модели электрических, тепловых, аэродинамических и механических процессов в радиоэлектронной аппаратуре. Вычисление эффективных параметров ветвей комплексной модели верхнего иерархического уровня.

    статья, добавлен 08.12.2018

  • Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.

    книга, добавлен 07.02.2014

  • Исследование характеристик темнового тока фотодетекторных линеек спектрометров в зависимости от температуры. Возможность определения температуры фотодетекторов программными методами по получаемым данным без переделки электротехнической части системы.

    статья, добавлен 26.01.2017

  • Использование оребренного канала как упрощенной модели для анализа тепловых режимов радиоэлектронной аппаратуры кассетного типа с высоким удельным тепловыделением при принудительном воздушном охлаждении. Тепловые характеристики оребренного канала.

    статья, добавлен 01.03.2017

  • Определение параметров случайного процесса и построение корреляционной матрицы. Проверка стационарности случайного процесса. Определение структуры согласованного фильтра и его параметров. Параметры квазиоптимального фильтра. Характеристики обнаружителя.

    контрольная работа, добавлен 05.11.2012

  • Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.

    презентация, добавлен 23.09.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.