Тепловой эффект в транзисторах
Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
Подобные документы
Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Современный технологический процесс изготовления печатной платы для автомата световых эффектов, разработка маршрутных и операционных карт, подбор ИМС, транзисторов и диодов. Технологические требования к паяным соединениям, выбор типа припоя и флюса.
курсовая работа, добавлен 31.07.2013Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Построение динамичной тепловой модели узлов электрических машин. Эквивалентная схема тепловой физической модели узла электрической машины. Расчет параметров асинхронных двигателей на основе экспериментально полученных кривых нагрева и охлаждения.
статья, добавлен 31.01.2019Анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, обеспечивающей моделирование радиационных эффектов, проблемы и направления их развития. Комплекс методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования систем управления.
автореферат, добавлен 13.02.2018Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.
презентация, добавлен 23.09.2016Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Изложение способа обнаружения тепловых объектов на коррелированном атмосферном фоне с помощью инфракрасных теплопеленгаторов с широким полем зрения. Использование отличий пространственных спектров излучения точечного теплового объекта и протяженного.
статья, добавлен 27.02.2019Вычисление параметров термометра сопротивления по теоретическим зависимостям. Построение графиков изменения погрешностей в функции температуры. Расчет величины сопротивления шунтирующего элемента. Определение характеристики корректированного термистора.
контрольная работа, добавлен 13.01.2016Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Математические модели дискретных СФС при комбинированных воздействиях. Характеристики фазового рассогласования дискретной СФС 2-го порядка, в условиях комбинированных воздействий. Вид уравнения Колмогорова-Чепмена. Построение марковских моделей.
диссертация, добавлен 23.12.2013Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Исследование влияния выбора параметров калибровочного объекта на точность видеокамеры. Определение фокусного расстояния. Построение кососимметричной матрицы положения камеры. Расчёт угловых размеров зоны наблюдения. Оценка пространственных координат.
статья, добавлен 30.05.2017Разработка структуры и принципов построения системы моделирования сетей и автоматизированного поиска проектных решений. Исследование способов представления математических моделей СКС. Разработка алгоритмов для задач анализа, синтеза и исследования СКС.
автореферат, добавлен 28.04.2018Рассмотрение эффективности использования малогабаритных телефонов. Изучение изменений электрических характеристик антенн вследствие влияния на них окружающих предметов и температуры воздуха. Негативные факторы, влияющие на резонансные свойства телефона.
статья, добавлен 05.11.2018Определение передаточной функции замкнутой системы. Построение переходной, импульсной (весовой), частотной характеристик системы автоматического регулирования температуры. Построение логарифмических амплитудно-частотной и фазово-частотной характеристик.
контрольная работа, добавлен 27.11.2016Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Исследование микромеханического метода перестройки частотных параметров микрополосковой антенны с круглым излучателем. Характеристика и анализ влияния физических и геометрических параметров антенной структуры на ее основные излучательные характеристики.
статья, добавлен 29.01.2017Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016