Автоматика и электроника
Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
Подобные документы
Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Электрические свойства кристаллов. Классическая электронная теория электропроводности металлов. Классификация проводниковых материалов. Электропроводность полупроводников, сверхпроводимость и ее природа. Специфика применения квантовой электроники.
реферат, добавлен 16.10.2013Описание кристаллических и аморфных твёрдых тел как агрегатных состояний вещества. Определение понятия и изучение физико-химических и термических свойств диэлектриков. Основные виды поляризации диэлектриков, спонтанная поляризация и сегнетоэлектрики.
реферат, добавлен 22.12.2012Определение и анализ сущности диэлектриков - веществ, не содержащих свободных заряженных частиц. Исследование и характеристика особенностей поляризации полярных диэлектриков. Ознакомление со схемой металлического проводника в электростатическом поле.
презентация, добавлен 20.12.2022Основные особенности электропроводности диэлектриков. Поляронный механизм электропроводности диэлектриков, определение понятия "полярон малого радиуса". Возможность ионного тока в твердых и жидких диэлектриках. Частотная зависимость проводимости.
лабораторная работа, добавлен 18.09.2015Измерения силы постоянного и переменного тока, сопротивления, величины постоянного и переменного напряжения, коэффициента усиления биполярных транзисторов. Качество соединения проводников или пайки. Конструкция прибора цифрового мультиметра M838.
лабораторная работа, добавлен 20.11.2013Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Принципы построения усилительных устройств. Построение усилительного каскада на электронной лампе и полевых транзисторах. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
реферат, добавлен 07.01.2015Отличие проводников от диэлектриков наличием свободных зарядов. Исследование внешней, в отношении проводника, области пространства. Изучение диэлектриков в электрическом поле и диэлектрической проницаемости. Механизм ослабления поля внутри диэлектрика.
практическая работа, добавлен 09.01.2015Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Закономерности кристаллического строения материи, зависимость физических свойств кристаллов в зависимости от их внутреннего строения. Пространственная решетка как геометрический образ расположения атомов или молекул, из которых состоит данный кристалл.
презентация, добавлен 23.09.2013Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014- 43. Твердые тела
Изучение структуры твердых тел. Исследования электрических свойств полупроводников. Симметрия и классификация кристаллов. Кристаллическая структура и дифракция. Закономерности построения кристаллов, характеристика сил, которые удерживают в них атомы.
реферат, добавлен 10.12.2014 - 44. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости. Вид лабораторной установки. Результаты измерений и вычислений. Зависимость электропроводимости материала от температуры. Пример расчетов.
лабораторная работа, добавлен 26.12.2014Расчет и проектирование элементов и устройств различных физических принципов действия. Нейтральные реле систем железнодорожной автоматики и телемеханики. Анализ работы пульс-пары. Герметизированные магнитоуправляемые контакты и реле на их основе.
методичка, добавлен 10.04.2018Характеристика сложных оксидных систем, имеющих различную кристаллическую структуру. Исследование структуры и физических свойств высокодобротных термостабильных сверхвысокочастотных диэлектриков. Анализ главных требований, предъявляемых к их параметрам.
статья, добавлен 24.03.2014Изучение устройства поляризационного микроскопа и методики работы на нем, определение осности и оптического знака кристаллов. Измерение угла между оптическими осями двуосных кристаллов. Явления в кристаллах, вырезанных перпендикулярно оптической оси.
лабораторная работа, добавлен 05.04.2020