Автоматика и электроника
Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
Подобные документы
Изучение наиболее распространённых твёрдых проводников. Микроскопическое описание проводников. Контактная разность потенциалов. Описания термоэлектрических явлений в проводниках. Принцип действия и использование термопары. Электронная теория металлов.
реферат, добавлен 07.05.2013Пироэлектричество – одно из интереснейших физических явлений, наблюдаемых в кристаллах. Действие основных законов кристаллофизики, рассматривающих взаимосвязь симметрии кристаллов и физических явлений. Взаимодействие различных свойств кристаллов.
реферат, добавлен 13.04.2023Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Определение напряжения на концах участков цепи, которое рассчитывается на основе закона Ома. Исследование особенностей работы электрического тока в цепи, состоящего из последовательно соединенных участков. Анализ параллельного соединения проводников.
презентация, добавлен 18.04.2016Понятие и предмет изучения электроники, история развития данной отрасли знания. Параметры электрона. Электрическое напряжение и его определение, единица измерения. Виды электронных устройств и принцип их действия. Бытовая и промышленная электроника.
презентация, добавлен 09.09.2020Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Характеристика биполярных и МДП-транзисторов. Разработка функциональной схемы универсальной автоматизированной установки. Создание программного обеспечения для управления измерительной установкой; особенности применения технологии "клиент-сервер".
дипломная работа, добавлен 30.11.2018Анализ концепции "корпускулярно-полевого дуализма" физических характеристик микрочастицы. Исследование соответствия электрического векторного потенциала электрическому заряду микрочастицы, кратному кванту электрического потока - заряду электрона.
статья, добавлен 24.11.2018Сущность полупроводника как вещества, обладающего электрическими свойствами, промежуточными между свойствами металлов и диэлектриков. Включение p-n-перехода под прямое и обратное напряжение. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Определение понятия метода вертикального электрического зондирования, как одного из старейших методов электроразведки. Исследование физических основ метода. Ознакомление с аппаратурой и оборудованием метода. Анализ помех при выполнении наблюдений.
реферат, добавлен 13.12.2021Исследование действия друг на друга заряженных тел. Анализ понятия и свойств электрического поля. Рассмотрение принципов поляризации диэлектриков. Определение электрической силы. Изучение расположения силовых линий. Изменение скорости зарядов частиц.
презентация, добавлен 23.12.2016Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Ознакомление с процессом выбора внутреннего электроснабжения. Характеристика сечения проводников кабельной линии электропередачи. Определение требований к трансформаторам напряжения. Рассмотрение основ проектирования компенсации реактивной мощности.
дипломная работа, добавлен 02.10.2015Принципы работы электроизмерительных приборов, электрических полей различной конфигурации, действие электрического поля на пучок электронов в электронно-лучевой трубке осциллографа. Свойства системы двух проводников и диэлектриков накапливать заряды.
методичка, добавлен 16.09.2011Понятие об атомной структуре кристаллов. Сущность и основные идеи рентгеноструктурного анализа, в основе которого лежит явление дифракции рентгеновских лучей. Уравнение Брэгга - основной закон селективного отражения рентгеновских лучей кристаллом.
статья, добавлен 29.10.2013Факторы, обуславливающие электропроводность диэлектриков. Вычисление удельного объёмного и поверхностного сопротивления изоляции проводов и твёрдых диэлектриков. Определение лучшего диэлектрика среди материалов, используемых для изоляции проводов.
лабораторная работа, добавлен 23.05.2015Определение закономерности теплового разрушения органических диэлектриков и специфики лазерного пробоя прозрачных твердых тел при облучении их импульсно-периодическими потоками света. Анализ характеристик щелочно-галоидных кристаллов в световых полях.
автореферат, добавлен 02.03.2018Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.
презентация, добавлен 21.06.2016Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Определение понятия тлеющего барьерного разряда. Ознакомление с принципом работы и конструкцией плазменного коагулятора. Определение показателей напряжения и тока для тлеющего разряда при атмосферном давлении в благородных газах (гелии, аргоне).
реферат, добавлен 13.07.2013Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Ознакомление с принципом действия теплового насоса. Рассмотрение особенностей работы вакуумного солнечного коллектора. Определение преимуществ и недостатков теплового насоса. Исследование и характеристика основных недостатков солнечных коллекторов.
статья, добавлен 01.03.2019Ознакомление с историей эффекта внедрения разряда в твердое тело на импульсном высоком напряжении. Характеристика принципа электроимпульсного разрушения. Анализ особенностей пробоя твердых и жидких диэлектриков. Изучение лазерных шлирен-фотографий.
презентация, добавлен 24.06.2015